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7427927121 发布时间 时间:2025/8/24 4:20:19 查看 阅读:3

7427927121 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种高功率和高频开关应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热性能,是电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和负载开关等电路中的常用元件。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):44A
  导通电阻(Rds(on)):0.018Ω(最大值,典型值0.015Ω)
  功耗(Pd):160W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:TO-220AB

特性

7427927121 MOSFET 具有多个优良的电气和热性能特性。其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。这种器件的高电流承载能力使其适用于大功率应用,同时具备良好的热稳定性,确保在高负载条件下仍能保持可靠工作。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽,通常可与标准逻辑电平兼容,便于与各种驱动电路配合使用。此外,7427927121采用TO-220AB封装,具备良好的散热能力,适用于需要高功率密度和高可靠性的电路设计。由于其增强型特性,该器件在零栅极电压下处于关断状态,提高了系统的安全性。
  该MOSFET的封装设计便于安装和散热管理,适合在多种电子设备中使用。TO-220AB封装具有良好的机械稳定性和热传导性能,有助于将器件在高电流工作时产生的热量迅速传导出去,从而延长器件寿命并提升整体系统性能。此外,该器件具备较高的短路耐受能力,在突发的过载条件下也能保持稳定运行,适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。

应用

7427927121 MOSFET广泛应用于各种功率电子系统中。其主要应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、逆变器以及工业自动化控制电路。在电源管理系统中,该器件可用于高效能的功率转换和分配,实现更高的能量利用效率。在电机控制和驱动电路中,7427927121能够提供快速的开关响应和稳定的电流控制,有助于提高系统的动态性能。此外,该MOSFET也适用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和电池管理系统,满足汽车电子对高可靠性和耐久性的要求。由于其优异的导通特性和热性能,7427927121也可用于高频率开关电路,提升整体系统的响应速度和效率。

替代型号

IRFZ44N, FDP6676, SiR882DP, IRLZ44N

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7427927121参数

  • 特色产品Chip Bead Ferrites WE-CBF
  • 3D 型号742792zzz.igs 742792zzz.stp 742792zzz.wrl
  • 标准包装10,000
  • 类别滤波器
  • 家庭铁氧体磁珠和芯片
  • 系列WE-CBF
  • 频率对应阻抗220 欧姆 @ 100MHz
  • 额定电流200mA
  • DC 电阻(DCR)最大 800 毫欧
  • 滤波器类型差模 - 单线
  • 线路数1
  • 封装/外壳0402 (1005 公制)
  • 安装类型表面贴装
  • 包装带卷 (TR)
  • 高度(最大)0.022" (0.55mm)
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
  • 其它名称732-2371-2