H27UBG8T2AYR-BC 时间：2025/9/2 3:41:41 阅读：22

H27UBG8T2AYR-BC 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的NAND闪存芯片，广泛应用于需要大容量非易失性存储的设备中。这款芯片属于3D NAND技术产品，具有高密度、高速读写性能以及较低的功耗，适用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备、智能手机以及其他消费类电子产品。

参数

容量：8GB
　　工艺技术：3D NAND
　　封装类型：TSOP
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　接口类型：ONFI 3.0
　　读取速度：最高可达500MB/s
　　写入速度：最高可达300MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约2ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

H27UBG8T2AYR-BC NAND闪存芯片采用了先进的3D NAND技术，相较于传统的2D NAND闪存，其在存储密度和可靠性方面有了显著提升。3D NAND结构通过将存储单元垂直堆叠在硅基板上，不仅提高了单位面积的存储容量，还降低了单元之间的干扰，从而提高了数据读写速度和寿命。该芯片支持ONFI 3.0接口标准，能够实现高速数据传输，并具有良好的兼容性，适用于多种存储控制器。
　　此外，该芯片的低功耗特性使其在移动设备和便携式电子产品中表现出色，能够在有限的电池容量下延长设备的使用时间。其宽工作温度范围也使其适用于工业级应用场景，确保在极端环境下的稳定运行。H27UBG8T2AYR-BC还内置了错误校正码（ECC）功能，能够有效检测和纠正数据错误，提高数据存储的可靠性。

应用

H27UBG8T2AYR-BC 主要应用于需要大容量非易失性存储的设备中，包括但不限于：固态硬盘（SSD）、嵌入式多媒体控制器（eMMC）、U盘、存储卡、智能手机、平板电脑、工业控制系统、车载娱乐系统以及物联网（IoT）设备。其高容量、低功耗和宽温特性使其在消费类电子和工业应用中均具备良好的适应性。