时间：2025/9/1 17:51:10
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M5M5W816TP-55H是一款由日本三菱电机（Mitsubishi Electric）生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于高速SRAM存储器类别。这款芯片通常用于需要高速数据访问的电子设备和系统中，例如工业控制、通信设备、嵌入式系统等。M5M5W816TP-55H采用CMOS技术制造，具备低功耗和高可靠性的特点，适用于各种高性能应用环境。
容量：16K x 8位
电压：5V
访问时间：55ns
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：并行接口
封装尺寸：54引脚
最大工作频率：约18MHz
功耗：典型值150mA（待机模式下低至10mA）
数据保持电压：最小2V
数据保持时间：最大10ms
M5M5W816TP-55H SRAM芯片具有多项显著的技术特性和优势。首先，其高速访问时间为55纳秒，使得该芯片能够在高频环境下快速响应，提高系统性能。其次，该芯片支持并行接口，允许直接连接到微处理器或其他控制器，简化了系统设计并提高了数据传输效率。
此外，M5M5W816TP-55H采用了CMOS技术，使其在保持高速度的同时，具备较低的功耗特性。在待机模式下，其电流消耗可降至10mA以下，非常适合需要节能的应用场景。同时，该芯片支持低电压数据保持功能，即使在电源电压下降到2V的情况下，仍能保持数据不丢失，从而增强了系统的稳定性和可靠性。
该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于恶劣环境下的长期运行。其TSOP封装形式不仅体积小巧，还具有良好的散热性能，适用于高密度电路板设计。此外，M5M5W816TP-55H具有较强的抗干扰能力和良好的电气稳定性，确保在复杂电磁环境下仍能正常工作。
该芯片的存储容量为16K x 8位，提供128Kbit的存储空间，适合用作缓存、临时数据存储或高速缓冲存储器。其并行接口设计支持快速地址和数据总线操作，使得数据读写更加高效。由于其广泛兼容性和稳定性能，M5M5W816TP-55H在工业控制、通信设备、医疗电子和嵌入式系统中得到了广泛应用。
M5M5W816TP-55H SRAM芯片广泛应用于多个领域，包括但不限于工业自动化控制系统、通信基站设备、医疗监测仪器、嵌入式处理器模块、数据采集系统以及测试与测量设备。由于其高速访问时间和低功耗特性，该芯片特别适合用于需要快速数据处理和稳定存储的场景，例如工业机器人控制单元、网络交换机缓存、智能仪表数据缓冲等应用。此外，在航空航天和汽车电子领域，该芯片也常用于关键数据存储和实时控制任务中，确保系统在复杂环境下可靠运行。
CY62167EVLL-55BZS、IDT71V128SA55B、AS7C128A-55JC、IS61LV128AL-55B、M5M5W816BS-55H
