M5M5W816TP-55H是一款由日本三菱电机(Mitsubishi Electric)生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于高速SRAM存储器类别。这款芯片通常用于需要高速数据访问的电子设备和系统中,例如工业控制、通信设备、嵌入式系统等。M5M5W816TP-55H采用CMOS技术制造,具备低功耗和高可靠性的特点,适用于各种高性能应用环境。
容量:16K x 8位
电压:5V
访问时间:55ns
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
接口类型:并行接口
封装尺寸:54引脚
最大工作频率:约18MHz
功耗:典型值150mA(待机模式下低至10mA)
数据保持电压:最小2V
数据保持时间:最大10ms
M5M5W816TP-55H SRAM芯片具有多项显著的技术特性和优势。首先,其高速访问时间为55纳秒,使得该芯片能够在高频环境下快速响应,提高系统性能。其次,该芯片支持并行接口,允许直接连接到微处理器或其他控制器,简化了系统设计并提高了数据传输效率。
此外,M5M5W816TP-55H采用了CMOS技术,使其在保持高速度的同时,具备较低的功耗特性。在待机模式下,其电流消耗可降至10mA以下,非常适合需要节能的应用场景。同时,该芯片支持低电压数据保持功能,即使在电源电压下降到2V的情况下,仍能保持数据不丢失,从而增强了系统的稳定性和可靠性。
该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,适用于恶劣环境下的长期运行。其TSOP封装形式不仅体积小巧,还具有良好的散热性能,适用于高密度电路板设计。此外,M5M5W816TP-55H具有较强的抗干扰能力和良好的电气稳定性,确保在复杂电磁环境下仍能正常工作。
该芯片的存储容量为16K x 8位,提供128Kbit的存储空间,适合用作缓存、临时数据存储或高速缓冲存储器。其并行接口设计支持快速地址和数据总线操作,使得数据读写更加高效。由于其广泛兼容性和稳定性能,M5M5W816TP-55H在工业控制、通信设备、医疗电子和嵌入式系统中得到了广泛应用。
M5M5W816TP-55H SRAM芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于工业自动化控制系统、通信基站设备、医疗监测仪器、嵌入式处理器模块、数据采集系统以及测试与测量设备。由于其高速访问时间和低功耗特性,该芯片特别适合用于需要快速数据处理和稳定存储的场景,例如工业机器人控制单元、网络交换机缓存、智能仪表数据缓冲等应用。此外,在航空航天和汽车电子领域,该芯片也常用于关键数据存储和实时控制任务中,确保系统在复杂环境下可靠运行。
CY62167EVLL-55BZS、IDT71V128SA55B、AS7C128A-55JC、IS61LV128AL-55B、M5M5W816BS-55H