时间：2025/9/1 19:53:40
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H27U4G8F2ETR-BC 是由SK Hynix公司生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片属于高密度、高性能的闪存解决方案，广泛应用于需要大容量数据存储的电子设备中，如固态硬盘（SSD）、嵌入式存储系统、工业控制设备、消费类电子产品等。该型号属于TLC（Triple-Level Cell） NAND闪存，每个存储单元可以存储3位数据，具有较高的存储密度和成本效益。
容量：4GB
封装类型：TSOP
接口：ONFI 2.3
电压：2.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
读取速度：最高可达50MB/s
写入速度：最高可达20MB/s
擦除速度：块擦除时间约2ms
存储单元类型：TLC NAND
数据保持时间：10年（典型）
擦写寿命：约1000次P/E周期
H27U4G8F2ETR-BC具有多种显著的特性，包括高容量存储、低功耗设计、宽温工作范围和高可靠性。其TLC架构提供了较高的存储密度，适合需要大容量但对成本敏感的应用场景。芯片支持ONFI 2.3接口标准，确保与主流控制器的兼容性，提高系统集成的灵活性。此外，该芯片内置错误校正码（ECC）支持，能够有效提升数据读取的可靠性。在工作温度方面，-40°C至+85°C的宽温范围使其适用于工业级和汽车级应用环境。其擦写寿命约1000次P/E周期，结合磨损均衡技术可进一步延长使用寿命，适用于中等写入强度的应用场景。
H27U4G8F2ETR-BC NAND闪存芯片主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、便携式电子产品、消费类电子设备、网络设备以及车载电子系统等。在嵌入式系统中，它用于存储操作系统、固件和用户数据。在工业控制设备中，该芯片可用于数据记录、配置存储等用途。在消费电子产品中，如数码相机、MP3播放器、便携式游戏机等，该芯片作为主存储介质使用。同时，它也广泛用于固态硬盘（SSD）控制器方案中，作为缓存或系统存储。
H27U4G8F2BTR-BC, H27U4G8F2CTR-BC
