时间：2025/6/19 6:51:27
阅读：5
SQM50N04-4M1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种功率应用场合。该器件采用 TO-220 封装，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，广泛用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。
这款 MOSFET 的设计使其能够在高频条件下高效工作，同时保持较低的功耗。其封装形式适合散热需求较高的应用场景，并且易于安装在 PCB 上。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：45nC
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-220
SQM50N04-4M1-GE3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少导通损耗并提高整体效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 50A 的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
3. 快速开关速度，得益于优化的栅极电荷设计，适用于高频开关电路。
4. 良好的热性能，结合 TO-220 封装，确保在高温环境下稳定运行。
5. 广泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
该器件适用于以下典型应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流/直流转换器中的同步整流。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业设备中的功率控制模块。
SQM50N04-4M1-GE3 凭借其优异的电气特性和可靠性，成为这些应用的理想选择。
IRFZ44N
FDP5020
STP50NF06
