VUO62-18N07 是一款由Microsemi(现为L3Harris Technologies的一部分)生产的高功率双极性晶体管(BJT)模块,常用于高频功率放大器和其他高功率电子应用中。这款晶体管模块的设计使其能够处理高电压和大电流,同时保持良好的热稳定性和可靠性。VUO62-18N07 特别适用于工业、科学和医疗(ISM)频段的射频(RF)功率放大器,以及广播、雷达和测试设备等领域。
类型:NPN双极性晶体管(BJT)
最大集电极-发射极电压(VCEO):1800V
最大集电极电流(IC):62A
最大功耗(PD):1250W
工作温度范围:-55°C至+150°C
增益(hFE):典型值为30-80
频率响应:适用于高频(HF)和甚高频(VHF)应用
封装类型:模块化封装,具有良好的热管理和绝缘性能
VUO62-18N07 晶体管模块具备多个高性能特性,使其适用于高功率应用。其最大集电极-发射极电压为1800V,集电极电流可达62A,使其能够在高压和大电流条件下稳定工作。该模块的最大功耗为1250W,能够承受较高的热负荷,适用于持续高功率运行的场景。
该晶体管的工作温度范围从-55°C到+150°C,确保在极端环境条件下仍能保持稳定性能。其增益(hFE)典型值在30到80之间,提供良好的信号放大能力,适用于需要高增益的射频和功率放大电路。
VUO62-18N07 的封装设计采用了模块化结构,具有优良的热管理和电气绝缘性能,能够有效散热并防止过热损坏。这种设计有助于提高器件的可靠性和寿命,特别适合于高功率放大器和电源转换器等应用。
此外,该晶体管支持高频工作,适用于高频(HF)和甚高频(VHF)范围的信号放大,广泛用于广播、通信、医疗和工业设备中的射频功率放大系统。
VUO62-18N07 主要用于高功率射频(RF)和功率电子设备中,作为功率放大器的核心元件。常见的应用包括工业、科学和医疗(ISM)频段的射频功率放大器、广播发射机、雷达系统、测试与测量设备以及高频电源转换器。该晶体管的高压、大电流能力使其非常适合用于需要高功率输出的工业加热设备和等离子体发生器等应用。此外,它也广泛应用于航空电子系统、军事通信设备和高功率音频放大器等场景。
VUO62-18N07S、VUO62-18N07PBF、VUO62-18N07G、VUO62-18N07-E