时间：2025/9/2 0:32:11
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H27QEGDVEBLR-BCB 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片，属于高密度、高性能的存储器产品。该芯片通常用于需要高存储容量和快速数据读写的应用，如SSD、嵌入式系统和高端移动设备。
容量: 512Gb
类型: 3D NAND
接口: Toggle Mode 2.0
工作电压: 1.8V / 3.3V
封装类型: BGA
数据读取速度: 高达800MT/s
纠错能力: 支持LDPC纠错
H27QEGDVEBLR-BCB NAND闪存芯片采用了先进的3D NAND技术，实现了更高的存储密度和可靠性。其Toggle Mode 2.0接口提供了高达800MT/s的数据传输速率，满足了高性能存储需求。此外，该芯片支持LDPC（低密度奇偶校验）纠错技术，确保了数据存储的稳定性与完整性。工作电压设计为1.8V和3.3V双电源，既保证了高速操作，又降低了功耗。BGA封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合在复杂环境中使用。
这款芯片还支持多种高级功能，如坏块管理、磨损均衡和数据刷新技术，进一步提升了存储系统的寿命和可靠性。H27QEGDVEBLR-BCB在设计上兼顾了高性能与低功耗，适用于需要高吞吐量和持久存储的设备。
H27QEGDVEBLR-BCB广泛应用于固态硬盘（SSD）、高性能计算设备、服务器存储、工业控制系统、高端智能手机及平板电脑等需要大容量和高速存储的场景。
H27QEGDM9ALR-BCB, H27QED8VEM05-BCB
