CS2N60A4H 时间：2025/5/26 21:45:15 阅读：9

CS2N60A4H是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效提升系统效率并降低功耗。
　　CS2N60A4H的主要特点包括优化的漏源极导通电阻（Rds(on)）、较低的栅极电荷以及出色的热稳定性，使其成为功率转换应用的理想选择。

参数

型号：CS2N60A4H
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-252(DPAK)
　　最大漏源极电压(Vds)：60V
　　最大栅源极电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：4.9A(在25°C下)
　　漏源极导通电阻(Rds(on))：45mΩ(典型值，在Vgs=10V时)
　　总栅极电荷(Qg)：18nC(典型值)
　　输入电容(Ciss)：730pF(典型值)
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

1. 高击穿电压：CS2N60A4H的漏源极电压高达60V，适用于多种中高压应用场景。
　　2. 低导通电阻：其典型导通电阻仅为45mΩ，能显著减少导通损耗，提高整体效率。
　　3. 快速开关性能：该器件具有低栅极电荷和快速开关速度，可以降低开关损耗。
　　4. 热稳定性强：即使在高温环境下，CS2N60A4H仍能保持稳定的电气性能。
　　5. 小型封装：采用TO-252封装形式，节省PCB空间，适合紧凑型设计需求。
　　6. 宽工作温度范围：从-55°C到+150°C的工作温度范围，确保了器件在极端环境下的可靠性。

应用

1. 开关电源(SMPS)：
　　CS2N60A4H适用于各种开关电源拓扑结构，例如降压(Buck)、升压(Boost)或反激式(Flyback)转换器。
　　2. DC-DC转换器：
　　由于其快速开关特性和低导通电阻，这款MOSFET非常适合用作DC-DC转换器中的主开关或同步整流器。
　　3. 电机驱动：
　　可用于驱动小型直流电机或步进电机，提供高效且可靠的开关控制。
　　4. 负载开关：
　　在负载切换场景中，CS2N60A4H凭借其低导通电阻和快速响应时间表现出色。
　　5. 电池保护电路：
　　作为电池保护电路中的关键元件，可防止过流、短路等问题发生。