H26M64208EMRI 时间：2025/9/2 8:15:00 阅读：6

H26M64208EMRI 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片是一款高性能、低功耗的存储器设备，广泛用于需要高速数据存取的应用场景，如计算机主板、工业控制系统、网络设备和消费类电子产品。该型号的DRAM采用CMOS工艺制造，具有较高的稳定性和可靠性。

参数

容量：64Mbit
　　组织结构：4M x 16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据保持电压：2V
　　最大工作频率：166MHz
　　

特性

H26M64208EMRI 的主要特性之一是其低功耗设计，适合用于对功耗敏感的应用，例如便携式设备和电池供电系统。该芯片支持异步操作模式，能够根据系统需求灵活调整工作状态，从而进一步降低功耗。此外，该DRAM具有高速访问时间（55ns），能够提供较高的数据传输速率，适用于需要快速数据处理的应用场景。
　　该芯片的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在恶劣工业环境下使用，具有较高的环境适应性和稳定性。H26M64208EMRI 还具有数据保持功能，在低电压状态下仍能保持数据完整性，确保系统在断电或休眠状态下数据不丢失。
　　此外，该DRAM芯片支持多种刷新模式，包括自动刷新和自刷新模式，能够有效延长数据存储时间并减少系统维护开销。这使得它在需要长期运行和高可靠性的系统中具有良好的应用前景。

应用

H26M64208EMRI 适用于多种嵌入式系统和工业设备，例如工业控制器、通信设备、医疗设备、智能仪表和消费类电子产品。在工业控制系统中，该芯片可用于存储程序数据和临时变量，提高系统响应速度和处理能力。在通信设备中，该DRAM芯片可用于缓存数据包，提高数据传输效率。此外，H26M64208EMRI 也广泛应用于网络设备，如路由器和交换机，用于支持高速数据转发和缓冲管理。
　　由于其低功耗和高稳定性，H26M64208EMRI 也适用于便携式设备，如手持终端、智能穿戴设备和电池供电的传感器节点。在这些设备中，该芯片可以提供可靠的数据存储支持，同时降低整体功耗，延长设备续航时间。此外，该芯片还可用于图像处理设备、音频播放器和小型计算平台，满足多种应用场景对存储性能的需求。