类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功率耗散（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-92

KRC416E晶体管具有多项优良特性，确保其在多种应用中稳定可靠地工作。首先，其集电极-发射极电压（VCEO）和集电极-基极电压（VCBO）均为50V，使其能够在中等电压条件下正常工作，而不会发生击穿。其次，发射极-基极电压（VEBO）为5V，这为晶体管的输入信号提供了限制，以防止过高的信号电压损坏器件。最大集电极电流为150mA，表明该晶体管适合处理中等电流负载，如小型继电器、LED显示屏或逻辑门电路的驱动。
　　功率耗散方面，KRC416E的最大值为200mW，这意味着它可以在不使用散热片的情况下安全地工作，适用于紧凑型电路设计。此外，该晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在极端温度环境下保持稳定运行，适用于工业级应用。封装形式为TO-92，这是一种常见的通孔封装，便于手工焊接和安装，并具有良好的机械稳定性。
　　KRC416E的电流增益（hFE）通常在110至800之间，具体数值取决于工作电流。这使其在放大电路中表现优异，能够有效地将微弱信号放大至所需水平。同时，由于其响应速度快，KRC416E也常用于高频开关电路，如电源管理和脉宽调制（PWM）控制。

KRC416E晶体管广泛应用于多个领域。在消费电子产品中，它常用于音频放大器、信号处理电路和电源管理模块。例如，在小型音频放大器中，KRC416E可用于前置放大级，以提升输入信号的幅度。此外，它也适用于数字电路中的开关元件，如驱动LED、继电器或小型电机。
　　在工业控制设备中，KRC416E可用于传感器信号放大、逻辑电平转换以及小型执行机构的控制。由于其良好的温度特性和稳定性，该晶体管也被用于温度控制系统、自动调节装置和工业自动化设备中的接口电路。
　　在通信设备中，KRC416E可应用于射频（RF）前端放大器、信号调制解调电路以及无线通信模块中的功率控制单元。其高频响应能力使其在数据传输和无线通信中发挥重要作用。

2N3904, BC547, 2SC1815