时间：2025/9/2 8:07:52
阅读：11
H26M52208FPRI是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高性能、低功耗的DRAM存储器，适用于需要大容量内存和高速数据处理的设备。该封装为TSOP（Thin Small Outline Package），适用于工业级温度范围，具备良好的稳定性和可靠性。H26M52208FPRI通常用于网络设备、工业控制系统、嵌入式系统以及消费类电子产品中，为系统提供高速缓存和临时数据存储。
类型：DRAM
容量：256Mb（32M x8）
工作电压：2.3V - 3.6V
时钟频率：166MHz
数据速率：166MHz
封装类型：TSOP
引脚数：54
温度范围：-40°C至+85°C
组织结构：x8位宽
H26M52208FPRI具有多个显著的性能特点，使其适用于多种高性能应用。其采用CMOS工艺制造，具备较低的功耗，同时在高速运行时仍保持稳定。该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在不增加系统负担的情况下维持数据完整性，延长数据存储时间。此外，H26M52208FPRI具有良好的抗干扰能力，在复杂电磁环境中仍能保持稳定的读写性能。
其TSOP封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适用于对尺寸和功耗有严格要求的便携式设备。该芯片支持异步模式，允许灵活的时序控制，适应不同的系统设计需求。此外，H26M52208FPRI具备较高的数据传输效率，适用于需要频繁访问内存的系统，如图像处理、数据缓冲和实时控制系统。
H26M52208FPRI广泛应用于多个领域，包括但不限于工业控制设备、网络路由器与交换机、嵌入式系统、智能卡终端、消费类电子产品（如数字电视和多媒体播放器）等。其低功耗、高稳定性的特点使其成为工业级应用的理想选择，而其高速数据访问能力则适合用于图像处理和实时数据传输场景。此外，该芯片也常用于测试设备和开发平台中，为系统提供可靠的内存支持。
HY57V281620FTPRI-6A, IS42S16400F-6T
