容量：256Mb
　　组织结构：16M x 16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　封装：TSOP（薄型小外形封装）
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　访问时间：5.4ns
　　刷新周期：64ms
　　数据保持电压：1.5V
　　最大工作频率：166MHz

H26M42003GMRA 是一款高性能的DRAM芯片，具备低功耗设计和高速访问能力，适合多种工业和嵌入式应用场景。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，以降低功耗并延长数据保持时间。其TSOP封装设计有助于提高空间利用率，同时确保良好的热管理和电气性能。此外，该芯片的工作温度范围广泛，适合在严苛环境中运行，例如工业控制、网络交换设备和通信基础设施。
　　该DRAM芯片的16M x 16组织结构允许同时访问多个数据位，从而提高数据吞吐量。其5.4ns的访问时间确保了快速的数据读写能力，满足对延迟敏感的应用需求。电压范围宽广（2.3V至3.6V）使其能够适应不同的电源设计，并在低电压环境下仍保持稳定运行。
　　在可靠性方面，H26M42003GMRA 设计有片上错误检测机制，有助于提高系统稳定性。它的64ms刷新周期在保持数据完整性的同时，降低了刷新频率对系统性能的影响。数据保持电压低至1.5V，有助于在系统进入低功耗模式时减少能耗。

H26M42003GMRA 广泛应用于需要高性能内存的嵌入式系统和工业设备中。典型应用包括路由器、交换机、工业控制计算机、视频采集设备、通信基站以及测试测量仪器。由于其高可靠性、低功耗和高速性能，该芯片也适用于汽车电子系统、安防监控设备和智能仪表等需要长时间稳定运行的场景。

H57V2562GTR-RBC、IS42S16256H-5T、MT48LC16M2A2B4-6A