时间：2025/9/14 15:45:40
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PSMN8R5-100ESFQ 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用高性能的TrenchMOS技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用。该MOSFET封装为LFPAK56（也称为Power-SO8），是一种双侧散热的表面贴装封装，适合高电流和高功率密度设计。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID@25°C）：130A
导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ @ VGS = 10V
导通电阻（RDS(on)）：11.5mΩ @ VGS = 4.5V
功率耗散（PD）：130W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN8R5-100ESFQ 采用先进的TrenchMOS技术，实现了非常低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其RDS(on)在VGS = 10V时仅为8.5mΩ，在VGS = 4.5V时为11.5mΩ，适用于多种栅极驱动电路配置，包括使用4.5V驱动的系统。该器件的漏极电流能力高达130A，在高功率应用中表现出色。
此外，PSMN8R5-100ESFQ采用LFPAK56封装，这种封装技术不仅减小了PCB占用空间，还通过双侧散热设计显著提升了热性能。这种封装具有高可靠性和优异的热循环稳定性，适用于高温环境下工作的应用。该封装也支持自动光学检测（AOI）和回流焊工艺，便于自动化生产。
该MOSFET具有优良的雪崩能量承受能力和强大的短路耐受能力，确保在恶劣工作条件下的稳定运行。其高栅极绝缘强度（VGS可达±20V）增强了器件在高频开关应用中的稳定性与可靠性。这些特性使得PSMN8R5-100ESFQ非常适合用于电源转换、电机控制、电池管理系统和汽车电子等高性能功率应用。
PSMN8R5-100ESFQ广泛应用于各种高功率、高效率的电子系统中。常见的应用包括同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池充电和管理系统（BMS）、服务器电源、电信设备电源、工业自动化控制系统以及汽车电子系统（如电动助力转向、车载充电器等）。其优异的热性能和小型封装使其特别适合空间受限且需要高功率密度的设计场景。
在汽车应用中，该器件可以用于48V轻混系统中的功率转换模块、车载逆变器、电池管理系统以及各种车载电机控制电路。其高可靠性和宽工作温度范围（-55°C ~ +175°C）使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行。此外，PSMN8R5-100ESFQ的LFPAK56封装支持双面散热，适用于高密度电源模块设计，提高了整体系统的散热效率和可靠性。
IPB013N10N3 G, SQJQ130EP, BSC080N10NS5
