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AUIRLR3110ZTRPBF 发布时间 时间:2025/7/14 17:32:35 查看 阅读:10

AUIRLR3110ZTRPBF 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沣道沟道功率 MOSFET,采用 TO-263 封装形式。该器件适用于高效率、高频率的开关应用场合,例如 DC-DC 转换器、电机驱动以及电信和工业设备中的电源管理模块。
  该芯片具有低导通电阻 (Rds(on)) 和较高的雪崩能力,能够在严苛的工作条件下提供可靠的性能表现。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:74A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:87nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-263

特性

AUIRLR3110ZTRPBF 的主要特点是其超低的导通电阻 (Rds(on)) 和优化的栅极电荷设计,使其在高频切换中能够减少功耗并提高系统效率。
  此外,它还具备较高的雪崩击穿能量吸收能力,增强了在过载或短路情况下的保护性能。这种 MOSFET 采用了逻辑电平栅极驱动技术,可以与较低电压的控制电路直接兼容,无需额外的驱动级电路。
  AUIRLR3110ZTRPBF 的热性能优越,能够有效降低散热需求,并且其坚固的设计非常适合恶劣环境下的长期使用。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于各种功率转换场景,包括但不限于:
  - 开关模式电源 (SMPS)
  - 降压/升压 DC-DC 转换器
  - 工业用电机驱动
  - 电信基础设施中的高效电源模块
  - 太阳能逆变器中的功率调节
  由于其出色的电气性能,AUIRLR3110ZTRPBF 在需要大电流处理能力和高效率的应用中表现出色。

替代型号

IRLR3110,
   AUIRLR3110Z,
   IRLR3110TRPBF

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