时间：2025/5/12 21:48:26
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IRLU120NPBF 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由 Infineon（原 International Rectifier）生产。该器件采用 SO-8 封装形式，适用于各种开关和功率转换应用。它具有较低的导通电阻和高电流处理能力，适合于需要高效能和低损耗的场景。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：36A
导通电阻（Rds(on)）：9.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：14nC（典型值）
总功耗：10W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IRLU120NPBF 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够有效减少功率损耗。
2. 高电流承载能力，可满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能，有助于提高系统效率并降低电磁干扰。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. SO-8 封装形式，易于安装和集成到电路板中。
这些特性使得 IRLU120NPBF 成为电机驱动、DC-DC 转换器、开关电源以及其他功率管理应用的理想选择。
IRLU120NPBF 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 电池保护和管理系统中的负载开关。
5. 各种工业控制和消费类电子产品的功率转换模块。
其出色的电气性能和可靠性使其成为许多高效率设计的关键组件。
IRLZ44N, IRFZ44N
