时间：2025/6/28 19:02:13
阅读：5
CDR31BP471BFZMAT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管，专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用增强型工艺制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于电源转换、电机驱动以及射频应用等场景。
该型号属于 Cree 公司（现为 Wolfspeed）推出的 CDR 系列产品，主要面向工业级和汽车级应用，能够满足严苛的工作环境需求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：47A
导通电阻：47mΩ
栅极电荷：120nC
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
CDR31BP471BFZMAT 的核心优势在于其卓越的性能表现和可靠性。首先，该器件采用了先进的氮化镓材料，具备较低的导通电阻和较高的击穿电压，从而有效降低了功率损耗并提升了整体效率。
其次，它的开关速度非常快，能够支持高频操作，适合用于设计紧凑且高效的电力电子系统。
此外，该芯片在高温环境下仍能保持稳定运行，非常适合汽车电子、太阳能逆变器以及其他需要长时间工作的工业设备。
由于内置了保护机制，例如过流保护和短路保护，因此进一步增强了系统的安全性和耐用性。
CDR31BP471BFZMAT 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 电动汽车车载充电器（OBC）
3. 太阳能光伏逆变器
4. 数据中心供电模块
5. 工业电机驱动控制
6. 射频能量传输系统
这些应用充分发挥了该芯片的高频、高效以及高可靠性的特点，使得相关设备可以实现更优的性能指标。
CDR31BP471AFZMAT
CDR31BP471CFZMAT
WBG65H047G8L
