时间：2025/9/2 2:07:32
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H26M41103HPRI是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，专为高性能计算和存储应用设计。该芯片具有较高的存储容量和数据传输速率，适用于计算机系统、服务器、嵌入式设备以及其他需要大容量内存的场景。H26M41103HPRI属于标准DRAM芯片系列，具有良好的稳定性和兼容性，广泛应用于工业级和消费类电子产品中。
容量：256Mb
组织结构：16M x 16
工作电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数：54-pin
访问时间：10ns
最大工作频率：166MHz
数据速率：166MHz
工作温度范围：-40°C至+85°C
刷新周期：64ms
数据保持电压：2.1V
输出驱动能力：LVTTL兼容
时钟频率：可变，最大166MHz
数据宽度：16位
H26M41103HPRI具备多项优良特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，其256Mb的存储容量和16位的数据宽度，使其能够满足大多数嵌入式系统和小型计算机系统对内存容量的需求。此外，该芯片支持高达166MHz的工作频率，能够提供较高的数据传输速率，适用于需要快速数据处理的应用场景。
该芯片采用LVTTL（低压晶体管-晶体管逻辑）接口，兼容广泛的逻辑电平标准，确保与不同类型的控制器和外围设备的无缝连接。同时，其低功耗设计在高频率工作时仍能保持较低的能耗，适用于对功耗敏感的嵌入式系统和便携式设备。
在封装方面，H26M41103HPRI采用TSOP（薄型小外形封装）技术，这种封装形式具有较小的体积和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。TSOP封装也有助于提高芯片的机械稳定性和抗干扰能力，从而增强系统的整体可靠性。
该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不依赖外部控制器的情况下保持数据完整性，降低系统功耗并提高数据存储的稳定性。其宽泛的工作温度范围（-40°C至+85°C）也使其适用于工业环境中的各种应用场景，包括自动化控制设备、工业计算机和通信基础设施。
H26M41103HPRI广泛应用于需要高性能和稳定内存支持的电子设备中。常见的应用包括嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信设备、消费类电子产品以及各类存储模块。在嵌入式系统中，该芯片可作为主存储器使用，为微控制器或数字信号处理器提供高速数据访问能力。在网络设备和通信基础设施中，H26M41103HPRI可用于路由器、交换机等设备的缓存存储，提升数据处理效率和系统响应速度。
此外，该芯片也适用于图形处理设备、视频监控系统和多媒体播放器等需要大容量内存的应用场景。其高速数据传输能力和低功耗设计，使其成为需要持续数据流处理的理想选择。在工业自动化控制领域，H26M41103HPRI可用于可编程逻辑控制器（PLC）、工业计算机和传感器节点等设备，提供稳定可靠的内存支持。
H26M41103HPRR, H26M41103HPRI-10
