型号：4N60-HC
　　封装：TO-220/TO-220F
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：4A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值1.8Ω（最大2.2Ω，VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：2~4V
　　输入电容（Ciss）：约700pF（VDS=25V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：约150pF
　　反向传输电容（Crss）：约30pF
　　栅极电荷（Qg）：约35nC（VDS=480V, ID=2A）
　　功耗（PD）：125W（TC=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +150°C

4N60-HC具备多项关键特性，使其在中高功率开关应用中表现优异。首先，其600V的高漏源击穿电压使其能够直接用于全球通用交流输入（85~265V AC）的离线式电源设计中，无需额外的电压钳位电路即可应对输入端的浪涌和峰值电压。这一特性显著提高了系统的可靠性并简化了外围电路设计。其次，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），在室温下典型值仅为1.8Ω，这有助于降低导通期间的功率损耗，提升整体能效，尤其在持续导通或大电流负载条件下优势明显。
　　另一个重要特性是其优化的栅极电荷（Qg）与输出电容（Coss）的乘积，即所谓的“优值系数”（Figure of Merit, FoM）。较低的FoM意味着在相同开关频率下，器件所需的驱动功率更小，同时开关损耗也更低。这对于高频工作的电源拓扑如反激式（Flyback）、正激式（Forward）或LLC谐振转换器尤为重要。此外，4N60-HC的输入电容较小，降低了对驱动电路的电流需求，使它更容易与常见的PWM控制器或驱动IC配合使用。
　　热稳定性方面，4N60-HC采用高导热的封装材料和内部连接工艺，确保热量能有效从芯片传递到散热器。其最大功耗可达125W（在壳温25°C条件下），且结温可承受高达150°C，满足工业环境下的长期运行要求。器件还具备良好的抗雪崩能力和dv/dt耐受性，在突发短路或负载突变时不易发生二次击穿，提高了系统安全性。最后，该MOSFET经过严格的老化测试和可靠性验证，符合国际安全标准，适合用于医疗设备、工业电源、LED驱动等对稳定性要求较高的场合。

4N60-HC广泛应用于各类中等功率开关电源系统中。最常见的应用场景是作为主开关管用于反激式（Flyback）或正激式（Forward）AC-DC转换器中，尤其是在100W至300W范围内的适配器、充电器和开关电源模块中。其600V的耐压能力使其可以直接连接整流后的市电母线电压，适用于全球输入电压范围的设计。此外，在DC-DC变换器中，如半桥或全桥拓扑结构中，4N60-HC也可作为同步整流管或初级侧开关使用，特别是在低成本或非谐振类电源中表现出良好的性价比。
　　在电机驱动领域，4N60-HC可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为上桥臂或下桥臂的开关元件。虽然其开关速度不如专用的低电压MOSFET，但在几百伏电压等级的应用中仍具备足够的响应能力。此外，该器件也常用于逆变器系统，如太阳能微逆变器或UPS不间断电源中的DC-AC转换环节，承担能量切换任务。
　　其他应用还包括LED恒流驱动电源、电子镇流器、电焊机电源模块以及各类工业控制设备中的功率控制单元。由于其封装便于安装散热片，且电气性能稳定，4N60-HC在需要长时间连续运行的工业设备中尤为受欢迎。在电磁炉、感应加热等家用电器中，也可作为功率调节开关使用，实现高效能量传输。总之，凡是需要高电压、中等电流、高效率开关操作的场合，4N60-HC都是一个可靠的选择。

KIA4N60P
　　FQP4N60
　　STP4NK60ZFP
　　IRFGB40
　　AP4N60P