时间：2025/8/28 21:34:57
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IR2E55Y6 是一款由 Infineon（英飞凌）公司推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率密度、高效率的电源转换应用中。这款器件基于先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于 DC-DC 转换器、同步整流、电机控制、电池管理系统以及其他高功率应用。IR2E55Y6 采用高性能封装，能够有效散热，提高整体系统稳定性。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A
最大漏源电压（VDS）：55V
导通电阻 Rds(on)：2.7mΩ @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：85nC
功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：PG-HSOF-8-1（表面贴装）
IR2E55Y6 采用了英飞凌的 OptiMOS? 技术，具有极低的导通电阻，从而显著降低了导通损耗，提高了能效。其 Rds(on) 仅为 2.7mΩ，在大电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗。
该器件具有高电流承载能力，额定漏极电流可达 150A，适用于高功率密度设计。同时，其热阻较低，能够有效散热，防止因温度升高导致的性能下降。
在开关性能方面，IR2E55Y6 的栅极电荷（Qg）为 85nC，具备较快的开关速度，适用于高频开关电源设计。此外，该 MOSFET 具有良好的短路耐受能力，增强了系统的可靠性和安全性。
IR2E55Y6 还具备高雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态电压冲击，适用于工业环境和汽车电子等对可靠性和稳定性要求较高的应用场景。
其表面贴装封装（PG-HSOF-8-1）支持自动焊接工艺，适用于高密度 PCB 布局，提高生产效率并降低制造成本。
IR2E55Y6 主要应用于高效能电源转换系统，如同步整流型 DC-DC 转换器、多相电源、服务器电源、通信设备电源模块等。其高电流和低导通电阻特性使其成为高性能电源设计中的理想选择。
在工业控制领域，该 MOSFET 可用于电机驱动、UPS（不间断电源）、工业自动化设备的功率模块中。其良好的热性能和高可靠性确保了长时间运行的稳定性。
此外，IR2E55Y6 也适用于新能源系统，如太阳能逆变器、储能系统中的电池管理系统（BMS）以及电动车的充电模块等。其高耐压能力和优异的开关性能使其能够在恶劣环境下稳定运行。
在消费电子领域，该器件可用于高性能笔记本电脑电源适配器、游戏主机电源、高端音响系统的电源模块等，满足高效能与小型化设计的需求。
SiR188DP, IPB055N06N3, STD150N55F7
