H26M41103HPR 时间：2025/4/28 19:08:32 阅读：7

H26M41103HPR是一款由Rohm公司生产的高压功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高电压场景。该器件采用TO-263封装形式，具有低导通电阻和高耐压的特性，能够有效提升系统的效率并降低能耗。
　　此MOSFET属于N沟道类型，通过栅极电压控制漏极与源极之间的导通状态，适用于多种工业及消费类电子产品中的功率管理场合。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：4.8A
　　导通电阻（典型值）：95mΩ
　　栅极阈值电压：2.5V~4.5V
　　功耗：76W
　　工作温度范围：-55℃~175℃

特性

H26M41103HPR具备出色的电气性能，主要特点如下：
　　1. 高击穿电压设计确保其在高压环境下稳定运行，满足多种工业应用需求。
　　2. 极低的导通电阻显著降低了传导损耗，有助于提高整体系统效率。
　　3. 快速开关速度使得它非常适合高频开关应用，减少开关损耗。
　　4. 内置ESD保护电路增强了器件的抗静电能力，提高了可靠性。
　　5. TO-263封装形式不仅散热性能良好，还易于集成到各种印刷电路板设计中。

应用

H26M41103HPR适合用于以下领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)设计中的主开关管。
　　2. 各类DC-DC转换器，如降压或升压拓扑结构。
　　3. 电机驱动应用，包括步进电机和无刷直流电机控制。
　　4. 汽车电子设备中的负载切换和电源管理。
　　5. 家用电器及消费类电子产品中的功率管理单元(PMU)。