类型：肖特基二极管
　　封装/外壳：SOD-323（SC-76）
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　配置：单路
　　反向耐压（VRRM）：40V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　正向电压降（VF）：典型值0.35V（在10mA时），最大值0.55V（在200mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大值2μA（在25℃，40V下）
　　反向恢复时间（trr）：≤4ns
　　工作结温范围：-55℃ ~ +125℃
　　储存温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　热阻抗（RθJA）：约350K/W
　　电容（CT）：约50pF（在1MHz，0V偏置下）

BAS40T-7-F的核心优势在于其优异的高频响应能力和低功耗表现，这得益于其肖特基势垒结构的独特物理机制。该二极管采用金属-半导体接触形成整流结，避免了传统PN结中存在的少数载流子注入与复合过程，因而从根本上消除了反向恢复电荷（Qrr）问题，使得其反向恢复时间（trr）极短，典型值小于4纳秒，非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器及高速信号整流场合。由于没有尾电流现象，该器件在切换过程中几乎不会产生额外的动态损耗，有助于提升整体系统能效。
　　另一个关键特性是其低正向导通压降（VF），在200mA电流下最大仅为0.55V，远低于普通硅二极管的0.7V~1.2V水平。这一特性不仅减少了静态功耗，还降低了热积累风险，特别适用于电池供电设备如智能手机、蓝牙耳机、可穿戴设备等对能耗敏感的应用环境。同时，其较小的封装尺寸（SOD-323）仅占用约2mm × 1.25mm的PCB面积，极大提高了布板灵活性，适应高密度集成趋势。
　　该器件具备良好的温度稳定性，在宽温范围内（-55℃至+125℃）仍能保持稳定的电气性能，确保极端工况下的可靠运行。此外，其较低的寄生电容（约50pF）使其可用于射频信号检波或小信号整流电路，减少高频信号衰减。尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电流，但BAS40T-7-F通过优化工艺将漏电流控制在2μA以内（40V@25℃），兼顾了反向阻断能力与正向效率之间的平衡。综合来看，BAS40T-7-F是一款高性能、小体积、绿色环保的通用型肖特基二极管，适用于现代电子系统中对空间、效率和可靠性均有较高要求的多种应用场景。

BAS40T-7-F因其小型化封装和高效整流特性，被广泛应用于各类消费类电子产品和工业控制设备中。在便携式电子设备领域，它常用于锂电池充放电路径中的防反接保护、电源轨之间的隔离二极管以及USB接口的过压箝位电路，防止外部异常电压损坏主控芯片。在DC-DC开关电源拓扑中，该器件可作为同步整流辅助二极管或续流二极管使用，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）和反激式（Flyback）变换器中发挥关键作用，帮助提高转换效率并降低温升。
　　在信号处理电路方面，BAS40T-7-F可用于高频信号的包络检波、调制解调以及逻辑电平移位，其快速响应能力能够准确还原微弱信号波形，适用于无线通信模块、传感器信号调理单元和音频前端电路。此外，该二极管也常见于I/O端口保护设计中，配合TVS管构成多级防护网络，吸收静电放电（ESD）冲击和瞬态浪涌能量，保障敏感集成电路的安全运行。
　　在汽车电子系统中，虽然其额定电流相对较小，但仍可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的低压信号线路保护或LED驱动电路中的反向截止元件。在工业自动化设备中，BAS40T-7-F可用于PLC输入滤波、光耦反馈回路和继电器驱动续流路径，提供稳定可靠的开关行为。由于其符合AEC-Q101以外的标准且未专门认证为车规级，因此更多用于非动力总成类的次级电路。总体而言，该器件凭借其高频、低噪、紧凑的特点，成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

BAT54C, PMEG2005EH, SMS7621, BAV99