时间：2025/7/15 20:49:55
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H20R1202 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET器件，主要用于高功率密度和高效率的开关应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关性能。H20R1202 是一款N沟道增强型MOSFET，常用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器、太阳能逆变器和汽车电子系统等领域。其高耐压、大电流承载能力和优良的热稳定性，使其在高功率应用中表现出色。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：1200V
最大漏极电流（ID）：20A
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω（典型值）
栅极电压范围：-20V至+20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
功率耗散（PD）：150W
漏极-源极击穿电压：1200V
栅极电荷（Qg）：70nC
输入电容（Ciss）：1900pF
开启阈值电压（VGS(th)）：4V至6V
H20R1202 MOSFET具备多项先进的电气和热性能特性。
首先，其导通电阻仅为0.38Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
其次，该器件支持高达20A的漏极电流，适合中高功率应用的需求。
此外，H20R1202 具有1200V的高耐压能力，适用于高压直流电源、工业逆变器等高电压环境。
该MOSFET采用TO-247封装形式，具备良好的散热性能，确保在高负载条件下稳定运行。
其栅极电荷（Qg）为70nC，使得开关速度较快，从而减少开关损耗，提高整体效率。
同时，H20R1202 具有良好的抗雪崩能力和过载保护功能，提高了器件的可靠性和使用寿命。
在热性能方面，其最大工作温度可达150°C，适应各种严苛的工业环境。
此外，该器件的输入电容为1900pF，有助于稳定栅极驱动电路，减少高频噪声干扰。
综上所述，H20R1202 在导通电阻、开关速度、耐压能力和散热性能方面表现出色，是一款适用于多种高功率应用的理想功率MOSFET。
H20R1202 MOSFET主要应用于需要高耐压和较高电流能力的电力电子系统中。例如，在工业电源和DC-DC转换器中，该器件可以用于高效的功率转换和调节电路。在电机控制应用中，如伺服驱动器和无刷直流电机控制器，H20R1202 提供了稳定的开关性能和高可靠性。此外，该器件也广泛用于太阳能逆变器和储能系统中，支持高电压输入并提供高效的能量转换。在汽车电子领域，H20R1202 可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电动汽车的功率控制模块。由于其高可靠性和耐高温特性，也适用于需要长时间运行的工业控制系统和不间断电源（UPS）设备。
STP20N120, IRGP50B120U, FGH20N120, FDPF20N120
