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IPD90N03S4L03ATMA1 发布时间 时间:2025/6/3 20:23:34 查看 阅读:5

IPD90N03S4L03ATMA1 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沱道场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻和快速开关性能。其额定电压为 30V,适用于高频开关应用,广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
  这款 MOSFET 的封装形式为 TO-Lead (TOLL),这种封装设计有助于提高散热性能和简化 PCB 布局。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:90A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:36nC
  总电容:285pF
  功耗:280W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

IPD90N03S4L03ATMA1 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流下保持高效的能量转换。
  2. 快速的开关速度,降低了开关损耗并提升了系统效率。
  3. 高电流承载能力,适用于大功率应用。
  4. 热增强型封装设计,改善了热管理和长期可靠性。
  5. 符合 AEC-Q101 标准,适合汽车级应用。
  6. 可靠的短路耐受能力,增强了系统的安全性。

应用

该元器件适用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 电动工具、家用电器等消费类产品的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和控制。
  4. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电动车控制器。
  5. 汽车电子系统,如启停系统、DC-DC 转换器和电池管理系统(BMS)。

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IPD90N03S4L03ATMA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥14.07000剪切带(CT)2,500 : ¥6.44362卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)90A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.3 毫欧 @ 90A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 45μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)75 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5100 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)94W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3-11
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63