时间：2025/6/3 20:23:34
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IPD90N03S4L03ATMA1 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沱道场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和快速开关性能。其额定电压为 30V，适用于高频开关应用，广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-Lead (TOLL)，这种封装设计有助于提高散热性能和简化 PCB 布局。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：90A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：36nC
总电容：285pF
功耗：280W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IPD90N03S4L03ATMA1 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流下保持高效的能量转换。
2. 快速的开关速度，降低了开关损耗并提升了系统效率。
3. 高电流承载能力，适用于大功率应用。
4. 热增强型封装设计，改善了热管理和长期可靠性。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适合汽车级应用。
6. 可靠的短路耐受能力，增强了系统的安全性。
该元器件适用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 电动工具、家用电器等消费类产品的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换和控制。
4. 新能源领域，例如太阳能逆变器和电动车控制器。
5. 汽车电子系统，如启停系统、DC-DC 转换器和电池管理系统（BMS）。
