IPD90N03S4L03ATMA1 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沱道场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻和快速开关性能。其额定电压为 30V,适用于高频开关应用,广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-Lead (TOLL),这种封装设计有助于提高散热性能和简化 PCB 布局。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:90A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:36nC
总电容:285pF
功耗:280W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
IPD90N03S4L03ATMA1 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流下保持高效的能量转换。
2. 快速的开关速度,降低了开关损耗并提升了系统效率。
3. 高电流承载能力,适用于大功率应用。
4. 热增强型封装设计,改善了热管理和长期可靠性。
5. 符合 AEC-Q101 标准,适合汽车级应用。
6. 可靠的短路耐受能力,增强了系统的安全性。
该元器件适用于以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
2. 电动工具、家用电器等消费类产品的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换和控制。
4. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电动车控制器。
5. 汽车电子系统,如启停系统、DC-DC 转换器和电池管理系统(BMS)。