H1197NL 时间：2025/7/31 2:48:57 阅读：37

H1197NL是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的光耦合器（光电耦合器），属于高速光耦合器系列。这款光耦合器采用GaAs发光二极管与集成式高速光探测器组合，具有较高的传输速度和良好的隔离性能。H1197NL常用于需要高速信号传输和电气隔离的场合，如工业自动化系统、电源管理电路以及通信设备等。其封装形式为8引脚DIP（双列直插式封装），便于在各类PCB板上安装和使用。

参数

类型：高速光耦合器
　　电流传输比（CTR）：最小值100% @ IF=10mA，VCE=5V
　　正向电压（VF）：1.2V @ IF=10mA
　　反向电流（IR）：100nA @ VR=3V
　　集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装类型：8-DIP（0.300", 7.62mm）

特性

H1197NL具有多项优良特性，适用于多种高速电气隔离应用场景。
　　首先，H1197NL的高速响应能力使其能够在高达10MBd的数据传输速率下工作，这得益于其内部集成的高速光探测器和优化的光电转换结构。这一特性使其适用于需要快速信号隔离和传输的场合，如数字通信、脉冲宽度调制（PWM）控制等。
　　其次，该光耦合器具备良好的电流传输比（CTR），最小值为100%，确保在输入电流较低的情况下仍能保持较高的输出稳定性。CTR特性也使其在不同的工作条件下能够保持良好的线性度和一致性，适用于模拟信号隔离和数字信号传输。
　　此外，H1197NL具有较高的集电极-发射极耐压能力（最大30V），可在较宽的电压范围内稳定运行，适用于各种电源隔离和电压转换电路。其反向电流（IR）控制在100nA以下，有效减少了漏电流对电路性能的影响，提升了系统的可靠性。
　　最后，H1197NL的封装形式为标准8引脚DIP，便于在不同的PCB设计中使用，并具有良好的散热性能。其工作温度范围覆盖-55°C至+125°C，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。

应用

H1197NL广泛应用于需要高速信号隔离和电气绝缘的场合。例如，在工业自动化控制系统中，该光耦可用于隔离PLC（可编程逻辑控制器）与外部传感器或执行器之间的信号传输，防止高电压或干扰信号影响主控系统的稳定性。在电源管理系统中，H1197NL可用于隔离高压侧与低压侧的反馈信号，如在开关电源（SMPS）中用于隔离反馈回路以提升系统安全性。此外，在通信设备中，该光耦也可用于隔离不同电压域之间的数据传输，确保设备之间的信号完整性与安全性。汽车电子领域中，H1197NL可用于隔离电池管理系统（BMS）中的信号传输路径，提高整车电气系统的稳定性和抗干扰能力。