FHU2N60 时间：2025/7/10 20:13:03 阅读：15

FHU2N60是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效提升系统的效率和可靠性。
　　该MOSFET采用TO-220封装形式，适合于需要良好散热性能的应用场景。

参数

最大漏源电压：600V
　　最大栅源电压：±20V
　　最大漏极电流：2A
　　导通电阻（典型值）：1.3Ω
　　总功耗：10W
　　结温范围：-55℃至175℃

特性

FHU2N60具备以下主要特性：
　　1. 高耐压能力，可承受高达600V的漏源电压，适用于高压环境下的应用。
　　2. 低导通电阻设计，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　3. 快速开关速度，减少开关损耗，特别适合高频开关电路。
　　4. 增强型结构，只有在正向栅极电压下才能开启，便于控制。
　　5. TO-220封装提供良好的散热性能，支持长时间稳定运行。
　　6. 结温范围宽广，能够在极端温度条件下工作，适应性更强。

应用

FHU2N60适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
　　3. 电机驱动中的功率控制单元。
　　4. 逆变器电路中的关键功率器件。
　　5. 各类工业控制设备中的负载切换与保护电路。
　　其高耐压和高效能特点使其成为高压及大功率应用的理想选择。