时间：2025/8/24 7:33:32
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GWS3M 是一款由 IXYS 公司生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管。该器件适用于高频率和高功率的开关应用，具备良好的导通性能和较低的开关损耗。其封装形式为 TO-220，便于散热并适用于各种电源管理场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：3A
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
GWS3M 是一款高性能的功率 MOSFET，具有较高的耐压能力和良好的导通特性。其低导通电阻（RDS(on)）使其在高电流工作条件下能够保持较低的功耗，从而提高整体系统的效率。此外，该器件具备良好的热稳定性和抗过载能力，适用于各种高要求的开关电路。
GWS3M 的 TO-220 封装形式具有良好的散热性能，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。其高栅极阈值电压特性也有助于防止误触发，提高电路的可靠性。
该 MOSFET 支持快速开关操作，适用于高频电源转换器、开关电源（SMPS）、直流-直流转换器等应用。其耐高温能力也使其在恶劣环境下仍能正常工作。
GWS3M 广泛应用于各类电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、逆变器、马达控制器、电池充电器以及工业自动化控制系统。此外，该器件也可用于高电压和高频率的DC-DC转换器和AC-DC转换器中。
IRF830, FQP6N60, STP6NK60Z
