时间：2025/11/12 19:48:46
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CL10F474ZP8NNNC 是由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高介电常数的X5R型陶瓷电容器系列，具有较高的体积效率和稳定的电气性能。其标称电容值为470nF（即0.47μF），额定电压为25V DC，电容容差为±20%。该MLCC采用标准的0603（公制1608）封装尺寸，适用于高度集成和空间受限的电子电路设计。CL10F474ZP8NNNC广泛应用于去耦、旁路、滤波及信号耦合等场景，尤其适合消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类便携式电子装置。由于采用镍阻挡层电极结构（Ni-barrier electrode），该器件具备良好的抗硫化能力，提升了在恶劣环境下的长期可靠性。此外，该产品符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，支持无铅回流焊工艺，适用于现代绿色电子制造流程。
电容：0.47μF
电压：25V
电容容差：±20%
温度特性：X5R
封装尺寸：0603 (1608)
工作温度范围：-55°C 至 +85°C
介质材料：陶瓷
电极结构：Ni-barrier (抗硫化)
安装类型：表面贴装 (SMD)
厚度：约0.9mm
长度：1.6mm
宽度：0.8mm
CL10F474ZP8NNNC 采用先进的多层陶瓷电容器制造工艺，具备优异的电性能稳定性和机械可靠性。其核心介质材料为X5R型陶瓷，具有在宽温度范围内保持电容值相对稳定的能力，在-55°C到+85°C的工作温度区间内，电容变化率不超过±15%，这对于需要在不同环境温度下维持电路性能一致性的应用至关重要。该器件的电容值为470nF，在0603小型封装中实现了较高的单位体积电容量，体现了三星在高密度叠层技术方面的领先水平。
该MLCC采用镍阻挡层（Ni-barrier）电极结构，显著提升了对环境中硫元素的抵抗能力，防止因硫化导致的内部电极劣化和短路失效，从而增强产品在工业、汽车或高湿度含硫环境中的长期可靠性。同时，该结构有助于改善热循环下的耐久性，减少因温度反复变化引起的微裂纹风险。
CL10F474ZP8NNNC 支持无铅回流焊接工艺，兼容现代SMT生产线的高温峰值要求（通常可达260°C），且在焊接后仍能保持稳定的电气特性。其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）使其非常适合高频去耦应用，有效滤除电源噪声，提升数字IC供电质量。此外，该器件无磁性，不会干扰敏感射频电路，适用于通信模块和射频前端设计。
由于其小尺寸和轻量化特点，该电容器广泛用于空间受限的便携式电子设备中，如移动终端、蓝牙耳机和智能手表等。生产过程遵循严格的品质控制标准，并通过AEC-Q200等可靠性测试（视具体批次而定），确保批量使用时的一致性和良品率。
该器件广泛应用于各类消费类电子产品中的电源管理单元，作为微处理器、ASIC和FPGA的去耦电容，用于平滑瞬态电流波动并稳定供电电压。在DC-DC转换器电路中，它常被用作输入或输出滤波电容，配合其他元件抑制开关噪声，提高电源效率与电磁兼容性（EMC）表现。此外，也适用于模拟信号路径中的交流耦合、噪声滤波和旁路应用，例如音频放大器、传感器接口电路和数据采集系统。由于其良好的频率响应和稳定性，亦可用于中频范围内的信号处理电路。在通信设备如Wi-Fi模块、蓝牙模组和蜂窝基站前端电路中，该电容器可用于偏置电路的去耦和电源轨净化。工业控制、医疗电子和车载信息娱乐系统中也有广泛应用，特别是在对抗环境应力有较高要求的场合下，其抗硫化特性提供了额外的可靠性保障。
GRM188R71E474KA01D
C1608X5R1E474K
CL10B474ZP8NNEC
LC0603AR474MA3A
CC0603ZRY5V474Z
