额定集电极-发射极电压 Vce：1200V
　　额定集电极电流 Ic：300A
　　IGBT芯片技术：SKiiP 3技术
　　封装类型：模块化封装
　　拓扑结构：三电平（3-Level）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　绝缘耐压等级：2500V AC
　　热阻 Rth(j-c)：约0.12 K/W
　　安装方式：螺钉安装
　　引脚数量：多个（具体根据引脚定义）
　　

SEMIX303GB12M7P 采用先进的IGBT芯片技术，具备优异的导通和开关性能，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。其三电平拓扑结构设计有助于减少输出电压的谐波含量，提高系统的电能质量。模块内部集成多个IGBT单元和反向并联二极管，提供高功率密度和紧凑的封装形式，便于系统集成。此外，该模块采用高可靠性的封装材料和工艺，具有良好的热管理和绝缘性能，能够在恶劣的环境条件下稳定运行。模块还具备良好的可维护性和可替换性，支持快速安装和更换，适用于高可用性要求的应用场景。模块的封装设计符合行业标准，便于与散热器和驱动电路的集成。
　　此外，SEMIX303GB12M7P 在设计上优化了电磁兼容性（EMC）性能，减少了高频开关带来的电磁干扰，有助于提高系统的稳定性和可靠性。模块还具备良好的短路耐受能力和过流保护特性，能够在异常工况下提供可靠的保护功能。

SEMIX303GB12M7P 主要应用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统中。典型应用包括工业电机驱动系统、可再生能源发电系统（如光伏逆变器和风力发电变流器）、储能系统以及电动汽车充电设备等。在电机驱动系统中，该模块可用于高性能变频器的设计，提供高效的能量转换和精确的电机控制。在可再生能源系统中，该模块可用于实现高效的DC-AC能量转换，提高系统的整体能效。在储能系统中，该模块可用于实现双向能量流动，支持电池的高效充放电管理。在电动汽车充电设备中，该模块可用于实现高效率的功率转换和稳定的输出特性，满足不同类型的充电需求。

SEMIX304GB12M7P, SEMIX302GB12M7P