类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：最大300 mA
　　漏极-源极电压（VDS）：60 V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on))：约5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　功率耗散：300 mW
　　频率响应：适用于高频开关应用

2N7002KCL3 具有多个显著的电气和物理特性，适合多种电子设计应用。首先，其高输入阻抗特性使其在放大器电路中表现优异，减少了对前级电路的负载影响。此外，该器件的低导通电阻确保了在导通状态下较小的电压降，从而提高了能效。其最大漏极电流可达300 mA，能够满足大多数低功率开关应用的需求。
　　该MOSFET的漏极-源极耐压为60V，使其能够在较宽的电压范围内稳定工作，适用于多种电源管理电路。栅极-源极电压范围为±20V，具有较强的抗过压能力，从而提高了器件的可靠性。
　　采用SOT-23封装形式，2N7002KCL3 体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。该封装还提供了良好的热管理性能，确保器件在较高工作温度下仍能保持稳定运行。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子应用。
　　2N7002KCL3 的高频响应特性使其适用于高速开关电路，例如DC-DC转换器、负载开关、继电器驱动器和逻辑接口电路。其快速导通和关断能力有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。

2N7002KCL3 的应用领域非常广泛。在电源管理方面，它常用于低功率DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关控制。在数字电路中，该器件可用于逻辑电平转换、继电器替代和LED驱动控制。
　　此外，2N7002KCL3 也常用于工业自动化控制系统、传感器接口电路以及消费类电子产品中的信号处理和放大应用。其高可靠性和良好的热稳定性使其成为汽车电子系统中常用的MOSFET之一，例如车灯控制、电机驱动和车载充电系统。
　　由于其小信号特性和低功耗特性，2N7002KCL3 也适用于便携式设备和物联网（IoT）设备中的低功耗开关控制。

2N7002, 2N7002LT1, 2N7002DW, BSS138