时间：2025/8/6 0:24:06
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GWM120-0075P3是一款由GaN Systems生产的高功率氮化镓（GaN）晶体管，广泛用于高效能电源转换系统。该器件采用增强型GaN技术，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性，适用于工业电源、服务器电源、太阳能逆变器和电动车充电系统等领域。
型号：GWM120-0075P3
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏极电流（ID）：75 A
漏源击穿电压（VDS）：120 V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为 7.5 mΩ
栅极电压范围：-4 V 至 +7 V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：双面散热PowerBall封装
热阻（RθJC）：典型值为 0.35°C/W
GWM120-0075P3具备多项先进特性，使其在高功率密度和高效率应用中表现出色。首先，该器件的导通电阻仅为7.5 mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，其120 V的漏源击穿电压使其适用于中高功率应用，如48 V总线系统和服务器电源。此外，GWM120-0075P3采用双面散热PowerBall封装，有效降低热阻至0.35°C/W，提升了热管理性能，使器件在高负载下仍能保持稳定运行。
该晶体管的栅极电压范围为-4 V至+7 V，具备一定的抗误触发能力，增强了系统的可靠性。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应广泛的工业环境。由于GaN材料的特性，该器件具有极快的开关速度，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。此外，GWM120-0075P3还具备低寄生电感封装设计，进一步提升了高频开关性能，适用于高频DC-DC转换器和AC-DC电源模块。
GWM120-0075P3广泛应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。其典型应用包括服务器电源、电信整流器、太阳能微型逆变器、电动车车载充电器（OBC）以及高密度DC-DC转换器模块。由于其高电流能力和良好的热性能，该器件也非常适合用于48 V/12 V双向转换器、电机驱动器和储能系统中的功率转换模块。
GS66516B, EPC2218, LMG5200
