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S6E1A11C0AGV20000 发布时间 时间:2025/11/3 8:45:37 查看 阅读:26

S6E1A11C0AGV20000是三星(Samsung)推出的一款嵌入式存储芯片,属于eMMC(embedded MultiMediaCard)系列产品。该芯片主要面向中高端移动设备和嵌入式应用,集成了闪存存储和控制器于一体,提供高效、稳定的存储解决方案。S6E1A11C0AGV20000采用BGA封装形式,具备较高的读写性能和可靠性,适用于智能手机、平板电脑、物联网设备、车载信息娱乐系统以及其他需要嵌入式非易失性存储的场景。该型号遵循eMMC 5.1接口标准,工作电压为1.8V,具备良好的功耗控制能力,能够在有限的板级空间内提供大容量存储支持。其内部结构基于3D NAND Flash技术,提升了存储密度与耐用性,同时通过集成主控单元优化了数据管理、错误校正(ECC)、磨损均衡(Wear Leveling)和坏块管理等功能,减轻了主处理器的负担。S6E1A11C0AGV20000在出厂时已固化固件,确保与主流应用处理器的良好兼容性,并支持安全写保护、加密启动等特性,增强系统安全性。

参数

品牌:Samsung
  型号:S6E1A11C0AGV20000
  产品类型:eMMC Flash Memory
  接口标准:eMMC 5.1
  工作电压:1.8V
  存储容量:16GB
  封装类型:BGA
  数据读取速度:约250MB/s
  数据写入速度:约150MB/s
  工作温度范围:-25°C 至 +85°C
  存储温度范围:-40°C 至 +85°C
  JEDEC标准兼容:Yes
  可靠性:支持ECC、Wear Leveling、Bad Block Management

特性

S6E1A11C0AGV20000具备多项先进的技术特性,使其在嵌入式存储市场中具有较强的竞争力。首先,该芯片采用了eMMC 5.1协议规范,提供了比前代更高的传输效率和更低的延迟,支持双数据速率(DDR)模式,从而实现高达250MB/s的顺序读取速度,满足高清视频播放、大型应用加载和多任务处理的需求。其次,其内置的智能控制器集成了高级闪存管理算法,包括动态和静态磨损均衡技术,能够有效延长NAND闪存的使用寿命,防止局部区块过度擦写导致早期失效。此外,控制器还支持强效的硬件ECC纠错机制,可纠正多位错误,显著提升数据完整性与系统稳定性,尤其是在恶劣工作环境或长期运行条件下表现优异。
  另一个关键特性是其低功耗设计。S6E1A11C0AGV20000支持多种电源管理模式,如待机模式、睡眠模式和深度睡眠模式,可根据系统负载自动切换,最大限度地降低能耗,延长移动设备的电池续航时间。这对于便携式电子产品尤为重要。同时,该芯片具备良好的热管理能力,在高负载下仍能保持稳定运行,避免因过热引发性能下降或数据丢失。在安全性方面,S6E1A11C0AGV20000支持写保护功能和安全启动机制,防止未经授权的数据修改或恶意代码注入,保障系统固件的安全性。最后,该器件符合RoHS环保要求,适用于全球范围内的消费类电子和工业级产品,具备出色的供应链稳定性和量产支持能力。

应用

S6E1A11C0AGV20000广泛应用于各类嵌入式系统和消费类电子产品中。其最主要的应用领域是智能手机和平板电脑,作为主存储介质用于存放操作系统、应用程序和用户数据。由于其高集成度和标准化接口,设计工程师可以快速完成PCB布局与系统调试,缩短产品开发周期。此外,该芯片也常见于智能电视、机顶盒和家庭网关等网络多媒体设备,支持流畅的4K视频解码与缓存存储。在物联网(IoT)领域,S6E1A11C0AGV20000被用于工业控制模块、智能家居中枢、远程监控终端等设备,提供可靠的本地数据存储能力。车载电子系统同样是其重要应用场景之一,例如车载导航仪、行车记录仪和车载信息娱乐系统(IVI),能够在宽温环境下稳定运行,适应车辆启动、震动和温度变化等复杂工况。此外,该芯片还可用于医疗设备、POS终端、教育类电子设备以及无人机等对存储性能和可靠性有较高要求的领域。得益于其标准化协议和广泛的平台兼容性,S6E1A11C0AGV20000能够无缝对接高通、联发科、瑞芯微、全志等多种主流SoC平台,极大提升了系统设计的灵活性和可扩展性。

替代型号

KLMAG1GETF-B041
  SAMSUNG KM5B1A001M-B021
  Micron MTFC16GAKAJCN-IT
  SK Hynix H26M32001AMLR

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S6E1A11C0AGV20000参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥22.58000托盘
  • 系列FM0+ S6E1A1
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 核心处理器ARM? Cortex?-M0+
  • 内核规格32 位单核
  • 速度40MHz
  • 连接能力CSIO,I2C,LINbus,UART/USART
  • 外设DMA,LVD,POR,PWM,WDT
  • I/O 数37
  • 程序存储容量56KB(56K x 8)
  • 程序存储器类型闪存
  • EEPROM 容量-
  • RAM 大小6K x 8
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)2.7V ~ 5.5V
  • 数据转换器A/D 8x12b
  • 振荡器类型内部
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-LQFP
  • 供应商器件封装48-LQFP(7x7)