时间：2025/9/4 3:20:30
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GT22M-ETC 是一款由东芝（Toshiba）推出的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率器件，适用于高功率、高效率的电力电子系统。这款IGBT具有低导通压降和低开关损耗的特性，使其在工业电机驱动、逆变器和电源转换设备中表现出色。GT22M-ETC 采用紧凑的封装设计，便于集成到各种电子系统中，并提供良好的热管理和电气性能。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
最大集电极电流（IC）：30A（Tc=25℃）
导通压降（VCE_sat）：典型值为1.55V（在IC=30A时）
最大工作温度：150℃
封装类型：TO-247
短路耐受能力：有
栅极驱动电压：±20V
GT22M-ETC IGBT 在设计上优化了导通压降和开关损耗之间的平衡，从而提高了整体效率。其高耐压能力和大电流承载能力使其适用于高功率密度应用。该器件具备良好的抗短路能力，能够在恶劣的工作条件下提供可靠的性能。此外，GT22M-ETC 还具有优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，延长设备的使用寿命。TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，并简化了与散热片的连接，便于系统集成和维护。
GT22M-ETC 常用于工业电机控制、变频器、UPS（不间断电源）、电焊机、感应加热系统以及可再生能源（如太阳能逆变器）等高功率应用中。其优异的性能和可靠性也使其适用于电动汽车（如车载充电器）和电力储能系统中的功率转换模块。
GT25Q311、STGB20NC120KD2、FGA25N120ANTD
