CS1N80A3H 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频率开关和功率转换应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热性能,适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及各种功率电子设备。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):800V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):1A(连续)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220
导通电阻(Rds(on)):约 4Ω(典型值)
最大功率耗散:50W
晶体管配置:单晶体管
CS1N80A3H 的核心特性之一是其高耐压能力,漏源电压可达 800V,使其适用于高压开关应用。该器件的低导通电阻(Rds(on))确保在导通状态下损耗较低,从而提高整体系统效率。此外,CS1N80A3H 具有良好的热稳定性和高功率耗散能力,可在高负载条件下保持稳定运行。
该 MOSFET 还具备宽泛的栅极电压范围(±30V),允许灵活的驱动电路设计。其 TO-220 封装提供了良好的散热性能,并兼容标准的 PCB 安装工艺。CS1N80A3H 在高温环境下仍能保持稳定工作,适用于各种严苛条件下的工业和消费类电子产品。
从电气特性来看,CS1N80A3H 在室温下的阈值电压通常在 2V 至 4V 之间,这意味着它可以与常见的驱动 IC 兼容。此外,其快速开关特性减少了开关损耗,适用于高频开关应用,如开关电源(SMPS)和 LED 驱动器。
CS1N80A3H 广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、LED 驱动电路、电机控制、继电器驱动、电源管理系统以及工业自动化设备中的高压开关控制。由于其高耐压和良好的热性能,CS1N80A3H 也非常适合用于高频率、高效率的功率转换场合,如逆变器、电源适配器和电池充电器。
在家电领域,CS1N80A3H 可用于微波炉、洗衣机、空调等设备的电机驱动和电源管理模块。在工业控制中,它适用于 PLC(可编程逻辑控制器)和伺服驱动器的功率输出部分。此外,在照明应用中,特别是高压 LED 驱动器中,CS1N80A3H 的高效能特性使其成为理想选择。
IRF840, FQP8N80C, STP8NM80, 2SK2143