CS1N80A3H 时间：2025/8/1 22:50:55 阅读：15

CS1N80A3H 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关和功率转换应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热性能，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及各种功率电子设备。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：1A（连续）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻（Rds(on)）：约 4Ω（典型值）
　　最大功率耗散：50W
　　晶体管配置：单晶体管

特性

CS1N80A3H 的核心特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达 800V，使其适用于高压开关应用。该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下损耗较低，从而提高整体系统效率。此外，CS1N80A3H 具有良好的热稳定性和高功率耗散能力，可在高负载条件下保持稳定运行。
　　该 MOSFET 还具备宽泛的栅极电压范围（±30V），允许灵活的驱动电路设计。其 TO-220 封装提供了良好的散热性能，并兼容标准的 PCB 安装工艺。CS1N80A3H 在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于各种严苛条件下的工业和消费类电子产品。
　　从电气特性来看，CS1N80A3H 在室温下的阈值电压通常在 2V 至 4V 之间，这意味着它可以与常见的驱动 IC 兼容。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和 LED 驱动器。

应用

CS1N80A3H 广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、LED 驱动电路、电机控制、继电器驱动、电源管理系统以及工业自动化设备中的高压开关控制。由于其高耐压和良好的热性能，CS1N80A3H 也非常适合用于高频率、高效率的功率转换场合，如逆变器、电源适配器和电池充电器。
　　在家电领域，CS1N80A3H 可用于微波炉、洗衣机、空调等设备的电机驱动和电源管理模块。在工业控制中，它适用于 PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器的功率输出部分。此外，在照明应用中，特别是高压 LED 驱动器中，CS1N80A3H 的高效能特性使其成为理想选择。