制造商：Samsung
　　系列：K9F1G08U0C
　　存储容量：1 Gb
　　存储类型：NAND 闪存
　　存储格式：SLC
　　存储接口：8位并行
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作电流：最大50mA（读取），最大30mA（待机）
　　编程/擦除次数：10万次
　　数据保持时间：10年
　　页面大小：528字节（512+16）
　　块大小：32页
　　总块数：1024
　　封装类型：TSOP-48
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C

该芯片采用SLC（单层单元）技术，每个存储单元仅存储1位数据，因此在数据可靠性、耐久性和读写速度方面表现出色。相比MLC或TLC类型的NAND闪存，SLC具有更高的擦写寿命，典型值可达10万次以上，非常适合频繁写入的应用场景，如工业自动化控制器、数据记录仪等。此外，SLC结构简单，出错率低，ECC纠错要求相对较低，降低了系统设计复杂度。
　　该器件支持标准的NAND Flash命令集，包括读页、编程（写入）、块擦除、读状态和随机读写等功能。通过I/O引脚复用地址与数据总线，减少了引脚数量，提高了封装密度。内置的逻辑控制电路可以自动完成编程和擦除操作，减轻主控处理器负担。同时具备良好的坏块管理机制，在出厂时已标记初始坏块，并可通过用户程序进一步识别和管理后续产生的坏块，保障系统长期稳定运行。
　　在电气性能方面，K9F1G08U0C-PIB0T00的工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容低电压系统设计，有助于延长电池供电设备的续航时间。其高速读取访问时间典型值为25μs，编程时间约为200μs/页，块擦除时间为2ms，满足多数实时性要求不极端苛刻的应用需求。温度适应性强，可在-40°C到+85°C的工业级温度范围内可靠工作，适用于户外设备、车载系统及工厂环境中的嵌入式装置。
　　封装采用48引脚TSOP-I（Thin Small Outline Package），尺寸紧凑，便于高密度布局。所有信号引脚均符合LVTTL电平标准，易于与各类微控制器、DSP或专用NAND控制器连接。此外，该芯片支持多芯片共用总线结构，允许多个NAND器件挂接在同一组I/O线上，通过片选信号（CE）独立寻址，提升了系统的扩展灵活性。

广泛应用于需要中等容量、高可靠性的嵌入式存储系统中。常见于工业控制设备，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程IO模块，用于存储固件、配置参数及运行日志。在网络通信领域，该芯片常被用于路由器、交换机和IP摄像头中，保存操作系统镜像和配置文件。在消费类电子产品中，可用于便携式媒体播放器、数码相框和智能家电等设备的数据存储模块。由于其具备较强的环境适应能力，也适用于车载电子系统，例如车载导航仪、行车记录仪和车载信息终端。此外，在医疗仪器、测试测量设备和POS机等商业设备中，该芯片可提供稳定的本地存储解决方案。得益于成熟的生态系统和广泛的支持，K9F1G08U0C系列常作为NAND Flash学习与开发的参考器件，适用于教学实验平台和原型验证系统。

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　　 "MT29F1G08ABAEA",
　　 "HY27UF081G2A",
　　 "S34ML01G100BHI000"
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