类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1700V
　　最大集电极电流（IC）：75A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：双列直插式（Dual）
　　安装类型：通孔安装
　　短路耐受能力：6μs
　　最大栅极-发射极电压（VGE）：±20V
　　典型导通压降（VCEsat）：2.1V（在IC=75A，Tj=25°C）
　　开关损耗（Eon/Eoff）：2.5mJ/1.8mJ（在IC=75A，VCE=1500V）

GT17HNX-4DS-R具备多项优异性能和设计特点。首先，它采用了东芝的第四代IGBT芯片技术，提供更低的导通损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。其次，模块内部采用双列直插式结构，使得热管理和机械稳定性更优，适合在高功率密度应用中使用。
　　该模块具有较高的短路耐受能力（6μs），在突发故障条件下能够提供良好的保护，避免器件损坏。此外，GT17HNX-4DS-R的栅极驱动接口设计优化，使得驱动电路更简单，同时提高了抗干扰能力。
　　为了适应更广泛的工作环境，该模块支持-40°C至+150°C的宽温度范围，确保在极端条件下仍能稳定运行。其通孔安装方式和双列直插式封装设计也使得安装和维护更加便捷。

GT17HNX-4DS-R广泛应用于各种高功率电子设备中，例如工业变频器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、电焊机、感应加热设备以及可再生能源系统如太阳能逆变器和风力发电变流器等。
　　由于其高耐压能力和优异的热管理性能，GT17HNX-4DS-R特别适合用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统。在电机控制应用中，该模块可以提供快速响应和稳定的输出，有助于提高设备的整体性能。在可再生能源领域，该模块可用于实现高效的能量转换和管理，提升系统的能效和经济性。

GT17HNX-4DS-R的替代型号包括GT17HNX-4DS、GT17HNX-4DS-4、GT17HNX-4DS-S、GT17HNX-4DS-4-S等。此外，其他厂商如Infineon和STMicroelectronics也提供了类似的1700V/75A IGBT模块，例如Infineon的FF150R12RT4和STMicroelectronics的STGF7NC170HD。