PTD2112EB 时间：2025/12/27 21:58:29 阅读：11

PTD2112EB是一款由Power Integration（PI）公司推出的高集成度、单芯片离线式开关电源（SMPS）控制器，广泛应用于低功率AC-DC转换场合。该器件属于PI的TinySwitch系列，采用先进的CMOS工艺制造，集成了高压功率MOSFET和多模式PWM控制电路，能够在无需光耦反馈的情况下实现精确的恒压（CV）输出调节。PTD2112EB专为满足能源效率标准而设计，如DoE Level VI和EU CoC Tier 2，适用于待机电源、家电辅助电源、工业控制电源、智能家居设备以及物联网（IoT）终端等对空间和效率要求较高的应用场景。其内置的多种保护功能包括过载保护（OLP）、过温保护（OTP）、前沿消隐（LEB）以及自动重启机制，提升了系统的可靠性与安全性。此外，该芯片支持宽范围输入电压（典型85VAC至265VAC），适合全球通用市电输入应用。通过外部电阻可灵活设置工作频率和最大占空比，便于优化EMI性能与转换效率之间的平衡。封装方面，PTD2112EB采用紧凑的SOT-23或类似小型化封装，有助于减小PCB面积并简化散热设计。

参数

品牌：Power Integrations
　　产品系列：TinySwitch
　　器件类型：离线式开关电源控制器
　　集成MOSFET：725V
　　最大输出功率：36W（适配器模式），23W（开放式框架）
　　启动电流：<50μA
　　工作电流：约2.6mA
　　反馈类型：初级侧检测（PSR），无需光耦
　　工作频率：约42kHz（可调）
　　调制方式：频率调制（PFM）与跳周期模式结合
　　输入电压范围：85VAC - 265VAC（全范围）
　　封装形式：SOT-23-6
　　保护功能：过载保护（OLP）、过温保护（OTP）、前沿消隐（LEB）、自动重启
　　环保特性：符合RoHS，无卤素

特性

PTD2112EB的核心优势在于其高度集成化设计，将高压启动电路、多模式PWM控制器、功率MOSFET及各种保护机制集成于单一芯片中，显著减少了外围元件数量，从而降低了系统成本和PCB布局复杂度。其初级侧反馈（Primary-Side Regulation, PSR）技术通过检测变压器初级绕组的反激电压来估算次级输出电压，避免了使用光耦和TL431等传统反馈元件，不仅提高了长期可靠性，还增强了电气隔离性能。在轻载和空载条件下，芯片自动进入多周期跳跃模式，有效降低开关损耗，提升轻载效率，满足严格的能效标准。此外，该器件具备出色的动态响应能力，在负载突变时能够快速调整占空比以维持输出电压稳定。
　　PTD2112EB采用了先进的热折返补偿机制，当芯片结温升高时自动降低最大输出功率，防止因过热导致系统失效，实现了良好的热稳定性。其内置的软启动功能可抑制上电过程中的浪涌电流，减少对输入电源的冲击。前沿消隐电路有效防止因电流检测信号中的尖峰干扰引起的误触发，提高系统的抗噪声能力。芯片还支持可编程的电缆压降补偿功能，确保在不同长度的输出线缆下仍能保持良好的负载调整率。得益于CMOS工艺带来的低静态功耗，PTD2112EB在待机模式下的功耗可低至30mW以下，非常适合用于需要长时间待机的消费类电子产品。整体而言，该芯片在效率、可靠性、集成度和成本之间实现了良好平衡，是中小功率电源设计的理想选择之一。

应用

PTD2112EB广泛应用于各类低功率AC-DC电源适配器、家用电器辅助电源（如微波炉、洗衣机、空调显示面板供电）、智能插座、路由器、IP摄像头、电子门锁、电动工具充电器、工业传感器供电模块以及LED照明驱动电源等场景。由于其无需光耦的设计简化了隔离反馈路径，特别适合对安全隔离要求高且空间受限的应用。在智能家居和物联网设备中，PTD2112EB因其高能效和低待机功耗成为主流选择。同时，它也被用于打印机、扫描仪、POS机等办公设备的内部辅助电源设计。在工业控制领域，该芯片可用于PLC模块、继电器驱动电源或HMI人机界面的供电单元。此外，PTD2112EB还可用于电池充电器、USB充电端口供电、小型电机驱动电源等直流供电系统中，展现出良好的通用性和适应性。凭借其稳定的性能和成熟的参考设计支持，工程师可以快速完成从原型开发到量产的过渡。