时间：2025/8/17 6:25:52
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GT-64121A-B-2是一款由Giantec Semiconductor制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换系统。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等优点，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。GT-64121A-B-2采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，从而提高了整体效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：20V
栅极-源极电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：60A
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（最大值）
功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
GT-64121A-B-2的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件的RDS(on)典型值为5.5mΩ，在高电流应用中仍能保持较低的压降和温升。此外，该MOSFET的额定漏极电流高达60A，能够在高负载条件下稳定运行。
其TO-263（D2PAK）封装提供了良好的热性能和机械稳定性，便于在PCB上安装和散热管理。该封装形式支持表面贴装技术（SMT），适合自动化生产和高密度电路设计。
GT-64121A-B-2的栅极驱动电压范围为±12V，确保了在各种驱动电路中的兼容性。该MOSFET还具有良好的短路和过热保护能力，增强了系统的可靠性和寿命。
该器件的高频开关特性使其适用于高频电源转换应用，减少了磁性元件的体积和重量，从而提高了整体设计的紧凑性和效率。
GT-64121A-B-2常用于各种电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及电机控制电路。由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET在负载开关和电源分配系统中表现出色。此外，它也适用于汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中的功率控制应用。
SiS628AAC-T2-GE3, IRF1324S-7PPBF, AO4407A
