GST5009B-LF 时间：2025/7/26 13:45:20 阅读：11

GST5009B-LF是一款由Giantec Semiconductor制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高效率的功率转换性能。该型号的封装为TO-252（DPAK），适用于表面贴装工艺，适合高密度电源设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：90A
　　导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V时 ≤4.5mΩ，@VGS=4.5V时 ≤6.5mΩ
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

GST5009B-LF采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。其最大漏源电压为30V，连续漏极电流可达90A，适用于中高功率应用。栅极驱动电压兼容广泛，支持4.5V至10V的栅极驱动，便于与多种控制器和驱动IC配合使用。该器件的封装为TO-252（DPAK），具有良好的热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺，提高了PCB布局的灵活性。此外，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压条件下的可靠性。
　　该型号还具有低栅极电荷（Qg）特性，有助于降低开关损耗，提高开关速度。其封装内部引线电感较低，有助于减少高频开关过程中的电压尖峰问题。适用于诸如同步整流、Buck/Boost转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器等场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，无卤素，符合现代电子产品对环保材料的要求。

应用

GST5009B-LF适用于多种功率电子系统，包括但不限于：同步整流电路、DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源分配系统、电动工具和电动车控制器、服务器和通信设备的电源模块、LED照明驱动电路、工业自动化和控制设备中的功率开关等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能、高可靠性电源设计的理想选择。