GST5009-ELF 时间：2025/8/13 18:13:52 阅读：6

GST5009-ELF 是一款由 Good-Ark Semiconductor（固锝电子）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频率的电源管理应用设计，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性等特点。该 MOSFET 采用 DFN5x6 封装，适用于各类 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关和电池管理系统等应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：30V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id（@25°C）：110A
　　导通电阻 Rds(on)：最大 4.2mΩ（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：134W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN5x6

特性

GST5009-ELF 具有极低的导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力（高达 110A）使其适用于大功率应用场景。此外，该器件具有良好的热稳定性，DFN5x6 封装具备优异的散热性能，有助于在高负载条件下保持较低的工作温度。该 MOSFET 还具备快速开关特性，适用于高频开关电源设计，从而减小外围元件的尺寸并提升整体系统效率。
　　该器件符合 RoHS 环保标准，适用于工业级和消费类电子产品的设计。其栅极驱动电压范围宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，兼容多种驱动电路设计。此外，该 MOSFET 具备较强的雪崩能量承受能力，提高了在极端工作条件下的可靠性。