IPW60R040C7 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的功率 MOSFET,属于 CoolMOS 系列。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能,适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种工业应用。IPW60R040C7 的封装形式为 TO-Leadless(TOLL),这是一种无引脚的表面贴装封装,能够提供更小的占板面积和更好的散热性能。
这款功率 MOSFET 的额定电压为 600V,导通电阻典型值为 40mΩ(在特定条件下),可以显著降低传导损耗并提高系统效率。
额定电压:600V
导通电阻(典型值):40mΩ
最大漏极电流(Id):18A
栅极电荷(Qg):25nC
反向恢复时间(trr):45ns
结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-Leadless (TOLL)
工作频率:高达数百 kHz
IPW60R040C7 具有以下主要特性:
1. 高效的沟槽 MOSFET 技术,确保低导通电阻和低开关损耗。
2. 出色的热性能,得益于 TOLL 封装设计,能够实现高效的散热。
3. 快速的开关速度和低栅极电荷,适合高频应用。
4. 优化的反向恢复性能,减少寄生二极管的影响。
5. 宽广的工作温度范围,支持极端环境下的稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
这些特性使得 IPW60R040C7 成为高效率、高可靠性的功率转换应用的理想选择。
IPW60R040C7 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),如 PC 电源和服务器电源。
2. DC-DC 转换器,用于电信设备和工业控制。
3. 电机驱动,包括家用电器、电动工具和工业自动化中的电机控制。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源应用。
5. PFC(功率因数校正)电路,提升系统的整体效率。
其高电压耐受能力、低导通电阻和高效散热性能,使其特别适合需要高功率密度和高效率的应用场景。
IPB60R040C6
IPP60R040PFD
IPA60R040PFD