GS6042-INE3 是一款由 GSI Technology 生产的高性能异步静态随机存取存储器(ASRAM),具有高速存取能力和低功耗特性,适用于需要快速数据读写的应用场景。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有较高的可靠性和稳定性。
类型:异步静态随机存取存储器(ASRAM)
容量:64K x 16位(总容量1Mbit)
封装类型:32引脚TSOP
工作温度范围:工业级 -40°C 至 +85°C
电源电压:2.3V 至 3.6V
最大存取时间:12ns
最大工作频率:约83MHz(基于存取时间计算)
封装尺寸:约12.0mm x 20.0mm
GS6042-INE3 具有高速存取时间,可达12ns,使得该器件非常适合用于需要快速数据访问的高性能系统中。其异步架构无需时钟同步控制,简化了系统设计并提高了灵活性。
此外,GS6042-INE3 采用低功耗CMOS工艺,在保持高速性能的同时实现了较低的功耗,适用于对功耗敏感的应用环境。其宽电压范围(2.3V至3.6V)允许该芯片在多种电源条件下稳定工作,增强了其在不同系统中的适用性。
该芯片支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境条件下依然能保持稳定运行。其32引脚TSOP封装设计不仅节省空间,还便于PCB布局和散热管理,适用于高密度电子设备。
GS6042-INE3 支持独立的读写操作,具备双向数据总线和独立的片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)控制信号,提供了灵活的接口控制能力。
GS6042-INE3 常用于网络通信设备、工业控制设备、医疗仪器、测试设备和嵌入式系统等需要高速数据存储和访问的场景。由于其异步接口和低功耗特性,特别适用于需要灵活数据管理的实时系统。
ISSI IS61LV6416-12B4I, Cypress CY62148EV30LL