型号：7N60Z
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：7A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：50nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100pF（典型值，VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：190pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管或极快恢复
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

7N60Z的核心优势在于其在高电压应用中实现了良好的导通性能与开关速度的平衡。其600V的漏源击穿电压使其适用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的开关电源设计，能够在整流后的高压直流母线上稳定工作。器件采用了优化的平面工艺技术，使得晶圆结构更加均匀，提升了器件的一致性和长期可靠性。该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V条件下典型值仅为1.2Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）控制在50nC左右，意味着驱动电路所需的能量较小，有利于降低驱动芯片的负担并提升开关频率，从而减小磁性元件的体积，实现电源的小型化设计。
　　该器件具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其最大连续漏极电流可达7A，短时脉冲电流能力达到28A，适合应对瞬态负载变化或启动冲击电流较大的应用场景。体二极管虽然存在，但恢复特性较快，反向恢复电荷较小，减少了关断过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI），有助于简化RC吸收电路的设计。此外，7N60Z具有较强的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下（如过压、短路）吸收一定的能量而不发生永久性损坏，提升了系统的安全裕度。TO-220封装不仅提供了良好的电气隔离，还具备优异的散热能力，可通过外接散热片将热量有效传导至外部环境，确保长时间满载运行下的结温处于安全范围。这些综合特性使7N60Z成为中小功率开关电源中理想的主开关器件选择。

7N60Z广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其适合作为反激式变换器中的主开关管使用。常见应用包括手机充电器、笔记本电脑适配器、LED驱动电源、家用电器电源模块（如电视、音响、路由器等）、工业控制电源以及小型UPS不间断电源系统。在这些应用中，7N60Z负责将整流滤波后的高压直流电通过高频开关方式传递到变压器初级侧，实现电能的高效转换与隔离输出。由于其具备600V的高耐压能力，能够兼容宽范围交流输入（85VAC~265VAC），因此非常适合出口型电子产品对全球电网适应性的要求。此外，该器件也可用于DC-DC升压或降压变换器中，特别是在需要高电压输出的场合，如液晶背光驱动、静电发生器、小型逆变器等。在光伏微逆变器或小型太阳能充电控制器中，7N60Z可用于实现MPPT控制中的功率开关功能。由于其封装便于安装散热器，也适用于需要长时间连续运行的工业设备电源模块。在电机控制领域，该器件可作为小功率直流电机的H桥驱动开关之一，尤其是在低成本方案中表现出良好的性价比。总之，凡是需要600V耐压等级、7A左右电流能力的高效开关应用，7N60Z均是一个可靠且成熟的选择。

KSE7N60Z
　　FQP7N60
　　STP7NK60ZFP
　　2SK3562