TMK212AB7225KD-TR 是一款高性能的功率MOSFET芯片,基于先进的半导体制造工艺设计而成。它主要用于需要高效率和低功耗的电力电子应用中。该器件具有极低的导通电阻以及快速开关特性,能够在高频条件下提供出色的性能表现。
此型号属于N沟道增强型MOSFET系列,适用于各种工业和消费类电子产品中的功率转换与电源管理场景。
最大漏源电压:700V
连续漏极电流:2.2A
导通电阻(典型值):3.8Ω
栅极电荷:40nC
输入电容:230pF
总功耗:6W
工作温度范围:-55℃至150℃
TMK212AB7225KD-TR 提供了卓越的电气性能和可靠性,其关键特性包括:
1. 高击穿电压支持更广泛的应用环境。
2. 极低的导通电阻有效减少导通损耗,提高系统效率。
3. 快速开关能力确保在高频条件下稳定运行。
4. 优化的热设计使其能够承受更高结温。
5. 小型封装设计节省PCB空间并简化布局布线过程。
6. 符合RoHS标准,环保且易于焊接加工。
这款MOSFET芯片非常适合以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)
2. 直流电机驱动器
3. LED照明控制电路
4. 电池充电管理系统
5. 工业逆变器和变频器
6. 家用电器中的功率调节模块
7. 汽车电子辅助功能如电动座椅或车窗升降系统