类型：增强型氮化镓HEMT
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ
　　栅极电荷（QG）：10nC
　　输入电容（Ciss）：1200pF
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：6引脚SMD

GS3590-INTE3 具备多项先进特性，使其在高频功率转换应用中表现出色。
　　首先，该器件的氮化镓材料具有高电子迁移率，使得GS3590-INTE3能够实现比传统硅基MOSFET更快的开关速度，从而显著降低开关损耗，提高电源系统的整体效率。
　　其次，GS3590-INTE3采用增强型设计（E-mode），即在栅极电压为零时器件处于关闭状态，这种特性提高了系统的安全性，并简化了驱动电路的设计，使得该器件更易于集成到现有系统中。
　　此外，该器件的低导通电阻（RDS(on)）为45mΩ，有助于降低导通损耗，提升功率密度。其低栅极电荷（QG）和输入电容（Ciss）特性也进一步提升了高频应用下的性能表现，减少了驱动损耗。
　　GS3590-INTE3的封装设计优化了热性能和电气性能，支持表面贴装工艺（SMD），适用于自动化装配流程，并具备良好的散热能力，确保在高功率密度环境下的稳定运行。
　　最后，该器件的工作温度范围宽广（-55°C至150°C），适应多种恶劣工作环境，增强了其在工业和高可靠性应用中的适用性。

GS3590-INTE3 主要应用于高效率电源转换系统，包括但不限于：
　　1. 高频DC-DC转换器：由于其快速开关特性和低导通电阻，GS3590-INTE3非常适合用于高频率的DC-DC变换器中，实现高效率的能量转换。
　　2. 服务器电源与电信电源系统：在数据中心和通信设备中，GS3590-INTE3可用于提高电源模块的效率和功率密度，满足高可靠性要求。
　　3. 逆变器与电机驱动：在工业自动化和电机控制领域，GS3590-INTE3可作为高效逆变器的核心开关元件，提升系统响应速度和能效。
　　4. 可再生能源系统：例如太阳能逆变器和储能系统中，GS3590-INTE3可用于提高能量转换效率并减小系统体积。
　　5. 电动汽车充电设备：该器件的高效率和高可靠性使其成为车载充电器和充电桩电源模块的理想选择。
　　6. 高密度AC-DC电源适配器：GS3590-INTE3可用于设计小型化、高效率的电源适配器，满足消费电子和工业设备的供电需求。

GS66508T, GS3580T-IBS, EPC2045, LMG3410R050