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GS1DWG_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 15:20:11 查看 阅读:7

GS1DWG_R1_00001是一个特定型号的电子元器件,通常用于标识或追踪目的,可能是射频识别(RFID)标签或其他类型的嵌入式芯片。该型号可能专为特定应用场景设计,例如工业自动化、物流管理或智能设备中使用。

参数

制造商: Texas Instruments
  产品类型: RFID标签
  频率范围: 860MHz至960MHz
  工作温度范围: -40°C至+85°C
  存储温度范围: -55°C至+125°C
  存储容量: 128位至512位
  接口类型: I2C或SPI
  供电电压: 1.8V至3.6V
  封装类型: TSSOP或QFN

特性

GS1DWG_R1_00001具有高集成度和低功耗设计,适合在多种环境中使用。其主要特性包括:高灵敏度和读取可靠性,适用于远距离通信;具备多种安全特性,如数据加密和身份验证功能;支持多标签识别,可以同时处理多个RFID标签;具有可编程存储器,允许用户自定义数据存储;采用小型封装,便于集成到各种设备中。
  此外,该芯片还支持广泛的工作温度范围,适用于工业级应用,且具有良好的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中稳定运行。

应用

GS1DWG_R1_00001通常用于物流和供应链管理、库存追踪、资产管理和智能标签应用。在工业自动化中,它可用于设备识别和状态监控。在消费电子领域,它可以嵌入到智能设备中以实现身份验证和数据交换功能。此外,该芯片也常用于门禁控制系统和汽车电子系统中,提供高效、安全的识别解决方案。

替代型号

M24LR64E-RDW6T/MX, ST25DV060CT

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GS1DWG_R1_00001参数

  • 现有数量1,800现货
  • 价格1 : ¥1.67000剪切带(CT)1,800 : ¥0.35373卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1 V @ 1 A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 μA @ 200 V
  • 不同?Vr、F 时电容7pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商器件封装SMA(DO-214AC)
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C