时间：2025/7/12 19:47:06
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DRV5013NDQDBZR 是一款由德州仪器 (TI) 生产的霍尔效应锁存传感器集成电路。该器件能够在存在磁场时提供数字输出信号，适用于需要精确检测磁场方向或位置的应用场景。它具有工业级的工作温度范围和高灵敏度特性，能够实现可靠的磁性开关功能。
DRV5013 系列采用先进的斩波稳定技术以确保在宽温度范围内具备出色的精度和稳定性。其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装，便于在紧凑型设计中使用。
电源电压：1.6V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 125°C
静态电流：最大 850μA
输出类型：集电极开路
灵敏度（BOP）：-35Gauss
释放点（BRP）：+35Gauss
带宽：约 200kHz
DRV5013NDQDBZR 提供高灵敏度的霍尔效应感应能力，使其能够检测到较弱的磁场变化。
内置的稳压器支持低至 1.6V 的供电电压，适合电池供电设备和其他低压系统。
器件具备过压保护和反向电池保护功能，增强了可靠性。
通过集成的 EMC 抑制功能，可以减少外部噪声对性能的影响。
由于其小型 SOT-23 封装，DRV5013 非常适合空间受限的应用环境。
该器件经过优化，可与多种常见的永磁体配合使用，包括钕铁硼和钐钴磁体。
DRV5013NDQDBZR 广泛应用于各类需要非接触式位置检测或速度测量的场合。
典型应用包括无刷直流电机换向控制、齿轮检测、流量计、接近开关以及旋转编码器等。
此外，该器件还适用于消费电子领域中的滑盖手机检测、翻盖检测以及其他移动设备的运动传感功能。
在工业自动化中，它可以作为限位开关或液位传感器的一部分来使用。
DRV5013PWR
DRV5013DQPW
