时间：2025/5/13 16:59:12
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TSM75N03CP是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及负载开关等电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
TSM75N03CP在设计上注重了电气性能与可靠性之间的平衡，适用于各种需要高效能和稳定性的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：75A
导通电阻（Rds(on)）：3mΩ（典型值，25°C）
栅极电荷：45nC（典型值）
输入电容：1980pF（典型值）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
TSM75N03CP具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够在高电流应用中减少功耗和发热。
2. 高额定电流能力，支持高达75A的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗并提高整体效率。
4. 良好的热稳定性，适合在高温环境下使用。
5. 较小的栅极电荷和输入电容，简化驱动设计并降低驱动功耗。
6. 广泛的工作温度范围，确保在极端条件下仍能可靠运行。
7. 强大的雪崩能力和抗静电性能，增强了器件的耐用性。
TSM75N03CP可以应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统和DC-DC转换器。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
6. 高效节能的LED照明驱动电路。
由于其卓越的性能和可靠性，TSM75N03CP成为许多高性能功率应用的理想选择。
TSM75N03HCP, IRFZ44N, FDP55N06L
