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GRT1555C1H621GA02D 发布时间 时间:2025/6/30 10:40:51 查看 阅读:6

GRT1555C1H621GA02D 是一款高性能的功率MOSFET芯片,属于增强型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该型号主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。其设计旨在提供高电流处理能力和快速开关性能,适用于电源管理、电机驱动和负载切换等应用。
  GRT1555C1H621GA02D采用了先进的制造工艺,能够在高温环境下保持稳定的性能表现,同时具备较低的导通损耗和开关损耗。此外,它还具有优异的热稳定性和可靠性,适合长期运行在严苛的工作条件下。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻(典型值):4mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关时间:开启延迟时间35ns,关断下降时间18ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GRT1555C1H621GA02D 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用场合。
  3. 高电流承载能力,支持大功率输出。
  4. 良好的热稳定性,可在较宽的温度范围内可靠工作。
  5. 内置ESD保护电路,增强了器件的抗静电能力。
  6. 小尺寸封装,便于在紧凑型设计中使用。
  7. 符合RoHS标准,环保且无铅。

应用

该型号广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关元件。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和DC-DC转换。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
  6. LED照明驱动电路中的开关元件。

替代型号

GRT1555C1H621GA03D, IRFZ44N, FDP5800

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GRT1555C1H621GA02D参数

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  • 系列*
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