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H9CCNNN8JTALAR-NUM 发布时间 时间:2025/9/3 18:56:17 查看 阅读:29

H9CCNNN8JTALAR-NUM 是一颗由SK Hynix(海力士)公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款DRAM芯片采用高密度存储技术,具备较大的存储容量和高速的数据访问能力,广泛应用于需要高性能内存支持的电子设备中,例如移动设备、嵌入式系统、消费电子产品以及工业控制设备。该芯片采用先进的封装工艺,确保了在紧凑空间中的高稳定性和可靠性。

参数

容量:8Gb
  组织方式:x16
  电压:1.8V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:FBGA
  数据速率:800Mbps
  工艺制程:约40nm

特性

H9CCNNN8JTALAR-NUM 具备一系列高性能和高可靠性的特点,使其适用于多种应用场景。首先,该芯片采用1.8V低电压供电设计,不仅降低了功耗,还减少了热量产生,有助于提升设备的能效和稳定性。其次,其支持高达800Mbps的数据传输速率,能够满足需要快速数据处理的应用需求,如图形处理、视频缓冲和高速缓存等。此外,H9CCNNN8JTALAR-NUM 采用FBGA(细间距球栅阵列)封装技术,提供了良好的散热性能和较小的PCB占用空间,非常适合空间受限的便携式设备。在工作温度方面,该芯片支持-40°C至+85°C的工业级温度范围,适用于较为严苛的工作环境,保证了在高温或低温条件下的稳定运行。最后,该芯片基于先进的40nm制造工艺,实现了较高的存储密度与较低的成本,同时保持了良好的性能表现。

应用

H9CCNNN8JTALAR-NUM 由于其高性能、低功耗和紧凑封装的特点,被广泛应用于多种电子设备和系统中。首先,在移动设备领域,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,该芯片可作为主内存或缓存使用,支持设备的高效运行和多任务处理。其次,在嵌入式系统中,如汽车电子、工业控制系统和物联网(IoT)设备中,H9CCNNN8JTALAR-NUM 提供了可靠的内存支持,保障系统在复杂环境中的稳定性和响应速度。此外,该芯片也适用于消费类电子产品,例如数字电视、机顶盒、网络路由器等,用于提升设备的处理能力和数据吞吐量。在高端应用中,如图形处理器(GPU)、游戏主机和多媒体设备中,H9CCNNN8JTALAR-NUM 的高速数据传输能力能够有效支持大规模图形渲染和视频流处理。最后,在工业和自动化设备中,该芯片可用于实时数据采集与处理,满足对内存性能和稳定性的高要求。

替代型号

H9CCNNN8JTAMR-NUM, H9CCNNN8JTPLR-NUM

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