GRT1555C1H301JA02D 是一款高性能的射频功率晶体管,主要用于无线通信领域中的功率放大器设计。该晶体管采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具有高增益、高线性度和高效率的特点,适用于4G LTE、5G NR以及WiMAX等通信系统的基站设备中。其封装形式为气密封装,确保在恶劣环境下仍能保持稳定性能。
型号:GRT1555C1H301JA02D
工作频率范围:1800 MHz - 2200 MHz
最大输出功率:45 dBm
增益:16 dB
电源电压:28 V
电流消耗:典型值 4 A
封装类型:气密陶瓷封装
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
存储温度范围:-55°C 至 +125°C
GRT1555C1H301JA02D 的主要特性包括:
1. 高效率:在高频段下可提供超过50%的功率附加效率(PAE)。
2. 高线性度:通过优化设计,能够在大信号条件下保持较低的互调失真。
3. 稳定性:采用气密封装技术,提高了器件在高温和高湿度环境下的可靠性。
4. 易于集成:兼容常见的匹配网络设计方法,便于工程师快速完成系统级设计。
5. 宽带支持:能够覆盖多个频段的应用需求,减少开发成本和复杂度。
此外,该器件还内置了ESD保护电路,增强了对静电放电的防护能力。
这款射频功率晶体管广泛应用于以下领域:
1. 基站功率放大器模块
2. 固定无线接入(FWA)设备
3. 微波点对点通信系统
4. 军事及航空航天领域的通信设备
5. 高端测试测量仪器
GRT1555C1H301JA02D 的高效率和高线性度使其成为现代通信系统中理想的功率放大器解决方案。
GRT1555C1H201GA02D, GRT1555C1H301FA02D